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1. (WO2009116348) ÉBAUCHE DE MASQUE RÉFLECTEUR POUR LITHOGRAPHIE EUV
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/116348    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/052938
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 19.02.2009
CIB :
H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1008405 (JP) (Tous Sauf US).
HAYASHI, Kazuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UNO, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
EBIHARA, Ken [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HAYASHI, Kazuyuki; (JP).
UNO, Toshiyuki; (JP).
EBIHARA, Ken; (JP)
Mandataire : SENMYO, Kenji; 4th Floor, SIA Kanda Square, 17, Kanda-Konyacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010035 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-069215 18.03.2008 JP
Titre (EN) REFLECTIVE MASK BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE RÉFLECTEUR POUR LITHOGRAPHIE EUV
(JA) EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a reflective mask blank for EUV lithography, which has an absorber layer wherein stress and crystal structure can be easily controlled. The reflective mask blank for EUV lithography is obtained by forming, on a substrate, at least a reflective layer for reflecting EUV light and an absorber layer for absorbing EUV light in this order. The reflective mask blank for EUV lithography is characterized in that the absorber layer contains tantalum (Ta), nitrogen (N) and hydrogen (H), the total content ratio of Ta and N in the absorber layer is 50-99.9 at%, and the content ratio of H in the absorber layer is 0.1-50 at%.
(FR)L'invention porte sur une ébauche de masque réflecteur pour lithographie par ultraviolet extrême (EUV), qui comprend une couche d'absorbeur dans laquelle des contraintes et une structure cristalline peuvent être facilement maîtrisées. L'ébauche de masque réflecteur pour lithographie EUV est obtenue par formation, sur un substrat, d'au moins une couche réfléchissante pour réfléchir un rayonnement EUV et d'une couche d'absorbeur pour absorber un rayonnement EUV dans cet ordre. L'ébauche de masque réflecteur pour lithographie EUV est caractérisée en ce que la couche d'absorbeur contient du tantale (Ta), de l'azote (N) et de l'hydrogène (H), la teneur totale de Ta et N dans la couche d'absorbeur est de 50 à 99,9 % atomique, et la teneur de H dans la couche d'absorbeur est de 0,1 à 50 % atomique.
(JA) 応力および結晶構造を容易に制御可能な吸収体層を有するEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの提供。  基板上に、EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収体層と、がこの順に少なくとも形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記吸収体層が、タンタル(Ta)、窒素(N)および水素(H)を含有し、前記吸収体層における、TaおよびNの合計含有率が50~99.9at%であり、Hの含有率が0.1~50at%であることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)