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1. (WO2009116301) DISPOSITIF DE MESURE DE PERMITIVITÉ COMPLEXE, PROCÉDÉ DE MESURE DE PERMITIVITÉ COMPLEXE, ET PROGRAMME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/116301    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/001248
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 19.03.2009
CIB :
G01N 22/00 (2006.01), G01R 27/26 (2006.01)
Déposants : National University Corporation Hokkaido University [JP/JP]; 8, Kita 8-jyo Nishi 5-chome, Kita-ku, Sapporo-shi Hokkaido, 0600808 (JP) (Tous Sauf US).
NOZAKI, Ryusuke; (US Seulement).
NAKANISHI, Masahiro; (US Seulement)
Inventeurs : NOZAKI, Ryusuke; .
NAKANISHI, Masahiro;
Mandataire : WASHIDA, Kimihito; 5th Floor, Shintoshicenter Bldg., 24-1, Tsurumaki 1-chome, Tama-shi, Tokyo, 2060034 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-072170 19.03.2008 JP
Titre (EN) COMPLEX PERMITTIVITY MEASUREMENT DEVICE, COMPLEX PERMITTIVITY MEASUREMENT METHOD, AND PROGRAM
(FR) DISPOSITIF DE MESURE DE PERMITIVITÉ COMPLEXE, PROCÉDÉ DE MESURE DE PERMITIVITÉ COMPLEXE, ET PROGRAMME
(JA) 複素誘電率測定装置、複素誘電率測定方法及びプログラム
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a complex permittivity measurement device, a complex permittivity measurement method, and a program capable of highly accurately measuring the complex permittivity of a low permittivity material in a microwave region, using a measurement fixture having a simple structure, without requiring a complex measurement tool. The complex permittivity measurement device (100) comprises a fixture (110), a coaxial connector (120), a network analyzer (130), and an arithmetic processing unit (140). The fixture (110) includes: a circular first electrode (113) and a circular second electrode (111), the flat surfaces of which are disposed in parallel with and opposed to each other ; a circular opening (113b) opened at the center of the first electrode (113); and a central conductor (117) extending along the inside of an outer conductor (125) from the center of the second electrode (111) toward the outside via the circular opening (113b) of the first electrode (113).
(FR)L'invention concerne un dispositif de mesure de permitivité complexe, un procédé de mesure de permitivité complexe et un programme pouvant mesure de façon très précise la permitivité complexe d'un matériau à faible permitivité dans une région de micro-ondes, en utilisant un appareil de mesure ayant une structure simple, sans avoir besoin d'un outil de mesure complexe. Le dispositif de mesure de permitivité complexe (100) comporte un appareil (110), un connecteur axial (120), un analyseur de réseau (130) et une unité de traitement arithmétique (140). L'appareil (110) inclut : une première électrode circulaire (113) et une seconde électrode circulaire (111), dont les surfaces planes sont disposées en parallèle et opposées les unes aux autres ; une ouverture circulaire (113b) ouverte au centre de la première électrode (113) ; et un conducteur central (117) s'étendant le long de l'intérieur d'un conducteur externe (125) depuis le centre de la seconde électrode (111) en direction de l'extérieur via l'ouverture circulaire (113b) de la première électrode (113).
(JA) 複雑な測定器具を必要とすることなく、構造が単純な測定フィクスチャを用いて、低誘電率材料の複素誘電率をマイクロ波領域において高精度に測定することができる複素誘電率測定装置、複素誘電率測定方法及びプログラム。複素誘電率測定装置(100)は、フィクスチャ(110)、同軸コネクタ(120)、ネットワークアナライザ(130)、及び演算処理装置140を備え、フィクスチャ(110)は、平坦面が平行に対向配置された円形の第1の電極(113)及び第2の電極(111)と、第1の電極(113)の中心に開口した円形開口孔(113b)と、第2の電極(111)の中心から、第1の電極(113)の円形開口孔(113b)を経由して外部導体(125)の内部を外方に向かって延びる中心導体(117)とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)