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1. (WO2009116283) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/116283    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/001209
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 18.03.2009
CIB :
H01L 21/338 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/337 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo, 1048260 (JP) (Tous Sauf US).
SAZAWA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIKAWA, Naohiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KURITA, Yasuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HATA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAZAWA, Hiroyuki; (JP).
NISHIKAWA, Naohiro; (JP).
KURITA, Yasuyuki; (JP).
HATA, Masahiko; (JP)
Mandataire : HAYASHI, Shigenori; 5F, Shinjuku Square Tower, 22-1, Nishi-Shinjuku 6-chome, Shinjuku-ku, Tokyo, 1631105 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-072583 19.03.2008 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor device comprised of a channel layer of a nitrogen-containing Group 3 - 5 compound semiconductor, an electron supply layer which supplies electrons to the channel layer and has a trench in the surface opposite the surface facing the channel layer, a p-type semiconductor layer formed in the trench of the electron supply layer, and a control electrode formed adjacent to the p-type semiconductor layer or formed as an intermediate layer in the p-type semiconductor layer. For example, the channel current density increases while a GaN field effect transistor, which is the semiconductor device, is operated as normally off.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs constitué d’une couche de canal faite d’un composé semi-conducteur des groupes 3-5 contenant l’azote, d’une couche d’alimentation électronique qui alimente la couche de canal en électrons et qui a une tranchée dans la surface opposée à la surface faisant face à la couche de canal, d’une couche de semi-conducteur de type p formée dans la tranchée de la couche d’alimentation électronique, et d’une électrode de contrôle formée à proximité de la couche de semi-conducteur de type p ou formée en tant que couche intermédiaire dans la couche de semi-conducteur de type p. Par exemple, la densité de courant dans le canal augmente pendant qu’un transistor à effet de champ GaN, qui est un dispositif à semi-conducteurs selon l'invention, fonctionne en mode bloqué.
(JA) GaN系電界効果トランジスタをノーマリオフで動作させつつ、チャネルの電流密度を増加する。  窒素を含む3-5族化合物半導体のチャネル層と、前記チャネル層に電子を供給する電子供給層であって前記チャネル層に対向する面の反対面に溝部を有する電子供給層と、前記電子供給層の前記溝部に形成されたp形半導体層と、前記p形半導体層と接して形成された、または、前記p形半導体層との間に中間層を介して形成された制御電極と、を備えた半導体装置を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)