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1. (WO2009116233) TRANCHE ÉPITAXIALE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/116233    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/000889
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 27.02.2009
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1000004 (JP) (Tous Sauf US).
ARAI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ARAI, Takeshi; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo, 1100005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-068069 17.03.2008 JP
Titre (EN) SILICON EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) TRANCHE ÉPITAXIALE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer by growing an epitaxial layer by placing a silicon substrate on a susceptor. The method includes at least a step of forming a silicon oxide film (4) entirely on the rear surface of the silicon substrate (W); a step of removing the silicon oxide film (4) formed at least on an edge section (3) of the silicon substrate (W); and a step of placing the silicon substrate (W) on the susceptor (16) with the silicon oxide film (4) in between. An epitaxial layer (5) is grown on the silicon substrate, while holding the silicon substrate (W) by the susceptor (16) with the silicon oxide film (4) in between. Thus, the silicon epitaxial wafer by which generation of particles can be reduced in a device manufacturing process and a method for manufacturing such silicon epitaxial wafer are provided.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une tranche épitaxiale de silicium par développement d'une couche épitaxiale par placement d'un substrat en silicium sur un suscepteur. Le procédé comprend au moins une étape de formation d'un film d'oxyde de silicium (4) entièrement sur la surface arrière du substrat en silicium (W) ; une étape d'élimination du film d'oxyde de silicium (4) formé au moins sur une partie de bord (3) du substrat en silicium (W) ; et une étape de placement du substrat en silicium (W) sur le suscepteur (16), le film d'oxyde de silicium (4) étant placé entre eux. Une couche épitaxiale (5) est développée sur le substrat en silicium, tout en tenant le substrat en silicium (W) par le suscepteur (16), le film d'oxyde de silicium (4) étant placé entre eux. Ainsi, la tranche épitaxiale de silicium par laquelle une génération de particules peut être réduite dans un processus de fabrication de dispositif et un procédé de fabrication d'une telle tranche épitaxiale de silicium sont obtenus.
(JA) 本発明は、シリコン基板をサセプタに載置してエピタキシャル層を成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法において、少なくとも、シリコン基板Wの裏面全面にシリコン酸化膜4を形成する工程と、シリコン基板Wの少なくともエッジ部3に形成されたシリコン酸化膜4を除去する工程と、シリコン酸化膜4を介してサセプタ16上にシリコン基板Wを載置する工程とを含み、該サセプタ16でシリコン酸化膜4を介してシリコン基板Wを保持したまま、シリコン基板上にエピタキシャル層5を成長させることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法である。これにより、デバイス製造工程において発塵を低減できるシリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)