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1. (WO2009116196) DISPOSITIF MÉMOIRE, DISPOSITIF HÔTE, SYSTÈME MÉMOIRE, PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF MÉMOIRE, PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF HÔTE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE SYSTÈME MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/116196    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/066618
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 09.09.2008
CIB :
G06F 12/16 (2006.01), G06K 17/00 (2006.01), G06K 19/07 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8001 (JP) (Tous Sauf US).
FUJIMOTO, Akihisa [JP/JP]; (US Seulement)
Inventeurs : FUJIMOTO, Akihisa;
Mandataire : ITOH, Susumu; Musashi Bldg., 4-4, Nishishinjuku 7-chome, Shinju-ku, Tokyo, 1600023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-072429 19.03.2008 JP
2008-099740 07.04.2008 JP
Titre (EN) MEMORY DEVICE, HOST DEVICE, MEMORY SYSTEM5 MEMORY DEVICE CONTROL METHOD, HOST DEVICE CONTROL METHOD AND MEMORY SYSTEM CONTROL METHOD
(FR) DISPOSITIF MÉMOIRE, DISPOSITIF HÔTE, SYSTÈME MÉMOIRE, PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF MÉMOIRE, PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF HÔTE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE SYSTÈME MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)A memory card 100 having a NAND type flash memory connectable to a host device 200, capable of transmitting/receiving a signal to/from the host device 200 at a first voltage (3.3 V) or a second voltage (1.8 V) and safely changing a signal voltage of a transmission/reception signal that mutually checks a signal voltage through handshake processing with the host device 200 when the signal voltage is switched.
(FR)La présente invention concerne une carte mémoire (100) comprenant une mémoire flash de type NON-ET pouvant être connectée à un dispositif hôte (200), capable de transmettre/recevoir un signal en direction de /depuis le dispositif hôte (200) à une première tension (3,3 V) ou à une seconde tension (1,8 V) et de modifier en toute sécurité une tension de signal d'un signal de transmission/réception qui vérifie mutuellement une tension de signal au moyen d'un processus d'établissement de liaison avec le dispositif hôte (200) lorsque la tension de signal est commutée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)