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1. (WO2009116132) MODULE À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/116132    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/054957
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 18.03.2008
CIB :
H01S 5/022 (2006.01)
Déposants : Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1008310 (JP) (Tous Sauf US).
NANBA, Chise [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAMURA, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKUDA, Keiichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAMAYA, Motoaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IKEDA, Kazutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NANBA, Chise; (JP).
NAKAMURA, Akira; (JP).
FUKUDA, Keiichi; (JP).
TAMAYA, Motoaki; (JP).
IKEDA, Kazutaka; (JP)
Mandataire : SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体モジュール
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor module comprises a mount on which a semiconductor element and an element different in optimum operation temperature from the semiconductor element are mounted and a substrate which functions as a heat sink and supports the mount. The mount is divided into three blocks, a first block on which the semiconductor element is mounted, a second block, and a third block on which the element different in optimum operation temperature from the semiconductor element and an active temperature control unit for controlling the temperature of the element are mounted. The first block is joined to the substrate. The second block is joined to the first block. The third block is joined to the second block. At least one of heat resistance between the first block and the second block and heat resistance between the second block and the third block is set to be larger than heat resistance between the first block and the substrate. Consequently, the temperature of the semiconductor element and the temperature of the element are easily controlled under low power consumption.
(FR)L'invention concerne un module à semi-conducteur incluant une monture, sur laquelle un élément à semi-conducteur et un élément différent en température de fonctionnement optimale de l'élément à semi-conducteur sont montés, et un substrat qui fonctionne en tant que dissipateur thermique et soutient la monture. La monture est divisée en trois blocs, un premier bloc sur lequel l'élément à semi-conducteur est monté, un deuxième bloc et un troisième bloc sur lequel l'élément différent en température de fonctionnement optimale de l'élément à semi-conducteur et une unité de commande de température active destinée à commander la température de l'élément sont montés. Le premier bloc est relié au substrat. Le deuxième bloc est relié au premier bloc. Le troisième bloc est relié au deuxième bloc. Au moins une résistance à la chaleur, parmi une résistance à la chaleur entre le premier bloc et le deuxième bloc et une résistance à la chaleur entre le deuxième bloc et le troisième bloc, est configurée de façon à être plus grande que la résistance à la chaleur entre le premier bloc et le substrat. En conséquence, la température de l'élément à semi-conducteur et la température de l'élément sont aisément commandées dans une situation de faible consommation électrique.
(JA) 半導体素子と該半導体素子とは最適動作温度が異なる素子とが搭載されたマウントと、ヒートシンクとして機能してマウントを支持する基板とを備えた半導体モジュールを構成するにあたり、半導体素子が搭載された第1ブロックと、第2ブロックと、半導体素子とは最適動作温度が異なる素子と該素子の温度を制御する能動型の温度制御器とが搭載された第3ブロックとの3つのブロックにマウントを分割して、基板に第1ブロックを接合し、第1ブロックに第2ブロックを接合し、第2ブロックに第3ブロックを接合し、第1ブロックと第2ブロックとの間の熱抵抗および第2ブロックと第3ブロックとの間の熱抵抗の少なくとも一方を第1ブロックと基板との間の熱抵抗よりも大きくすることで、上記の半導体素子の温度と上記の素子の温度とを少ない消費電力の下に制御し易くする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)