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1. (WO2009115859) SUBSTRATS POUR CIRCUITS OPTIQUES MONOLITHIQUES ET CIRCUITS ÉLECTRONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/115859    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/002156
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 19.03.2008
CIB :
H01L 21/8258 (2006.01), H01L 31/12 (2006.01), H01L 31/153 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
CELLER, George K. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CELLER, George K.; (US)
Mandataire : HART-DAVIS, Jason; Cabinet BEAU DE LOMENIE, 158 rue de l'Université, F-75340 Paris Cedex 07 (FR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SUBSTRATES FOR MONOLITHIC OPTICAL CIRCUITS AND ELECTRONIC CIRCUITS
(FR) SUBSTRATS POUR CIRCUITS OPTIQUES MONOLITHIQUES ET CIRCUITS ÉLECTRONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a multilayer wafer structure containing a layer (25) that is lattice compatible with III-V compounds, said layer (25) being in contact with one face of an insulating layer (8), wherein the face of the insulating layer (8) opposite to said layer (25) is in contact with a silicon layer (7) that contains at least one waveguide, wherein the silicon layer (7) and insulating layer (8) contain either or both of: at least one continuous cavity filled with materials such as to constitute a photodetector zone (61), and/or at least one continuous cavity filled with materials such as to constitute a light source zone (62).
(FR)La présente invention porte sur une structure de tranche multicouche contenant une couche (25) à compatibilité de réseau renfermant des composés des groupes III-V. La couche (25) est en contact avec une face d'une couche isolante (8) opposée à la couche (25) et en contact avec une couche de silicium (7) qui contient au moins un guide d'ondes; la couche de silicium (7) et la couche isolante (8) contiennent au moins une cavité continue remplie de matières de façon à constituer une zone de photodétecteur (61) et/ou au moins une cavité continue remplie de matières de façon à constituer une zone de source de lumière (62).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)