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1. (WO2009115466) DISPOSITIF DE DETECTION DU RAYONNEMENT ULTRAVIOLET DE TYPE EBCMOS HYBRIDE COMPORTANT UNE MEMBRANE INSENSIBLE AU RAYONNEMENT SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/115466    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/053007
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 13.03.2009
CIB :
H01J 31/49 (2006.01)
Déposants : THALES [FR/FR]; 45 rue de Villiers F-92200 Neuilly Sur Seine (FR) (Tous Sauf US).
REVERCHON, Jean-Luc [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : REVERCHON, Jean-Luc; (FR)
Mandataire : BREDA, Jean-Marc; (FR).
ESSELIN, Sophie; (FR)
Données relatives à la priorité :
08/01484 18.03.2008 FR
Titre (EN) DEVICE FOR DETECTING ULTRAVIOLET RADIATION OF THE HYBRID EBCMOS TYPE, COMPRISING A MEMBRANE INSENSITIVE TO SOLAR RADIATION
(FR) DISPOSITIF DE DETECTION DU RAYONNEMENT ULTRAVIOLET DE TYPE EBCMOS HYBRIDE COMPORTANT UNE MEMBRANE INSENSIBLE AU RAYONNEMENT SOLAIRE
Abrégé : front page image
(EN)The invention pertains to the field of devices for detecting ultraviolet radiation, of the hybrid EBCMOS type that comprises a photocathode (1) and a matrix detector (3) arranged so as to detect the electrons emitted by the photocathode, wherein the detector includes a membrane (2) for collecting said electrons. In the device according to the invention, the membrane is made of so-called solar-blind material, i.e. a material having a cut-off wavelength lower than or equal to 280 nm. The material can be diamond, or one of the materials of said membrane is a semi-conducting material selected from the group (Ga, AI)N.
(FR)Le domaine général de l'invention est celui des dispositifs de détection du rayonnement ultra-violet, de type « EBCMOS » hybride comportant une photocathode (1) et un détecteur matriciel (3) agencé de façon à détecter les électrons émis par la dite photocathode, le détecteur comportant une membrane (2) collectrice desdits électrons. Dans le dispositif selon l'invention, la membrane est réalisée dans un matériau dit « solar-blind », c'est-à-dire dans un matériau dont la longueur d'onde de coupure est inférieure ou égale à 280 nanomètres. Le matériau peut être le diamant ou un des matériaux de ladite membrane est un matériau semiconducteur appartenant à la famille (Ga, AI)N.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)