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1. (WO2009114975) TRANSISTOR DE PUISSANCE À STRUCTURE MOS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CE DERNIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/114975    N° de la demande internationale :    PCT/CN2008/072665
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 13.10.2008
CIB :
H01L 27/088 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : MACMIC SCIENCE & TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; No.18, Hua Shan Zhong Lu, New District, Changzhou, Jiangsu 213022 (CN) (Tous Sauf US).
ZHANG, Jingchao [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LIU, Lifeng [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LIU, Qingjun [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
ZHAO, Shanqi [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : ZHANG, Jingchao; (CN).
LIU, Lifeng; (CN).
LIU, Qingjun; (CN).
ZHAO, Shanqi; (CN)
Mandataire : BEIJING SANYOU INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD.; 16th. Fl., Block A, Corporate Square, No. 35 Jinrong Street, Beijing 100140 (CN)
Données relatives à la priorité :
2008100198445 19.03.2008 CN
Titre (EN) POWER TRANSISTOR OF MOS STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) TRANSISTOR DE PUISSANCE À STRUCTURE MOS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CE DERNIER
(ZH) MOS结构的功率晶体管及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)A power transistor of a metal-oxide-semiconductor (MOS) structure and method for manufacturing the same are provided. The transistor comprises a metal layer (1),an insulating dielectric layer (2), a polysilicon layer (3), a gate oxidation layer (4) and a first doped layer (8), a second doped layer (10) and a third doped layer (5).The transistor has an active region dummy cell located between an end of a polysilicon layer (3) and an adjacent polysilicon layer. The metal layer (1) extends to a lead hole (6) to be connected and conducted with the doped layers (5, 7).The insulating dielectric layer (2) is located between the metal layer (1) of the active region dummy cell and the second doped layer (10), or the insulating dielectric layer (2) is located between the metal layer (1) of the active region dummy cell and the doped layers (9, 10). The transistor is augmented with the active region dummy cell structure without electric connection.
(FR)L'invention concerne un transistor de puissance présentant une structure métal-oxyde-semiconducteur (MOS) et un procédé de fabrication de ce dernier. Le transistor comprend une couche métallique (1), une couche diélectrique isolante (2), une couche de polysilicium (3), une couche d'oxydation de grille (4) et une première couche dopée (8), une deuxième couche dopée (10) et une troisième couche dopée (5). Le transistor présente une cellule fantôme à région active située entre une extrémité d'une couche de polysilicium (3) et une couche de polysilicium adjacente. La couche métallique (1) s'étend jusqu'à un avant-trou (6) pour être connectée et mise en conduction avec les couches dopées (5, 7). La couche diélectrique isolante (2) est située entre la couche métallique (1) de la cellule fantôme à région active et la deuxième couche dopée (10), ou la couche diélectrique isolante (2) est située entre la couche métallique (1) de la cellule fantôme à région active et les couches dopées (9, 10). Le transistor est amélioré au moyen d'une structure de cellule fantôme à région active sans connexion électrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)