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1. (WO2009114675) MATRICE DE MÉMOIRE AVEC UNE PAIRE DE CHAÎNES DE CELLULES MÉMOIRE À UN SEUL PILIER CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/114675    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/036929
Date de publication : 17.09.2009 Date de dépôt international : 12.03.2009
CIB :
H01L 21/8239 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83716 (US) (Tous Sauf US).
PEKNY, Theodore [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PEKNY, Theodore; (US)
Mandataire : MYRUM, Tod, A.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/047,414 13.03.2008 US
Titre (EN) MEMORY ARRAY WITH A PAIR OF MEMORY-CELL STRINGS TO A SINGLE CONDUCTIVE PILLAR
(FR) MATRICE DE MÉMOIRE AVEC UNE PAIRE DE CHAÎNES DE CELLULES MÉMOIRE À UN SEUL PILIER CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Memory arrays and methods of forming memory arrays are disclosed. One such memory array (104) has a first string of serially-coupled first memory cells (450) and a second string of serially-coupled second memory cells (450) sharing a single conductive pillar (230) that forms a channel for both strings of serially-coupled memory cells (450). For example, a first memory cell (450) can have a first control gate (424) on the first side of the conductive pillar (230) and a first charge trap (229) interposed between the first side of the conductive pillar (230) and the first control gate (424). A second memory cell (450) can have a second control gate (424) on the second side of the conductive pillar (230) and a second charge trap (229) interposed between the second side of the conductive pillar (230) and the second control gate (424). The first and second charge traps (229) are electrically isolated from each other and the first and second control gates (424) can be electrically isolated from each other.
(FR)Cette invention se rapporte à des matrices de mémoire et à des procédés de formation de matrices de mémoire. Une telle matrice de mémoire (104) présente une première chaîne de premières cellules mémoire reliées en série (450), et une deuxième chaîne de deuxièmes cellules mémoire reliées en série (450), qui partagent un seul pilier conducteur (230) qui forme un canal pour les deux chaînes de cellules mémoire reliées en série (450). Par exemple, une première cellule mémoire (450) peut présenter une première grille de commande (424) située sur un premier côté du pilier conducteur (230) et un premier piège de charge (229) interposé entre le premier côté du pilier conducteur (230) et la première grille de commande (424). Une deuxième cellule mémoire (450) peut présenter une deuxième grille de commande (424) située sur le deuxième côté du pilier conducteur (230) et un deuxième piège de charge (229) interposé entre le deuxième côté du pilier conducteur (230) et la deuxième grille de commande (424). Les premier et deuxième pièges de charge (229) sont électriquement isolés les uns des autres et les première et deuxième grilles de commande (424) peuvent être électriquement isolées les unes des autres.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)