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1. (WO2009114569) IMPLANT DE CLIVAGE REFROIDI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/114569    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/036722
Date de publication : 17.09.2009 Date de dépôt international : 11.03.2009
CIB :
H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US) (Tous Sauf US).
BLAKE, Julian, G. [US/US]; (US) (US Seulement).
MURPHY, Paul, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BLAKE, Julian, G.; (US).
MURPHY, Paul, J.; (US)
Mandataire : CHOI, Changhoon; (US)
Données relatives à la priorité :
12/181,516 29.07.2008 US
61/035,471 11.03.2008 US
Titre (EN) COOLED CLEAVING IMPLANT
(FR) IMPLANT DE CLIVAGE REFROIDI
Abrégé : front page image
(EN)A substrate is implanted with a species to form a layer of microbubbles in the substrate. The species may be hydrogen or helium in some embodiments. The size at which the microbubbles are stable within the substrate is controlled. In one example, this is by cooling the substrate. In one embodiment, the substrate is cooled to approximately between -15OoC and 3OoC. This cooling also may reduce diffusion of the species in the substrate and will reduce surface roughness when the substrate is cleaved along the layer of microbubbles.
(FR)L'invention concerne une espèce qui est implantée dans un substrat pour former une couche de microbulles dans le substrat. L’espèce peut être de l'hydrogène ou de l'hélium dans certains modes de réalisation. La dimension à laquelle les microbulles sont stables dans le substrat est régulée. Dans un exemple, ceci est fait en refroidissant le substrat. Dans un mode de réalisation, le substrat est refroidi approximativement entre -150°C et 30°C. Ce refroidissement peut aussi réduire la diffusion de l’espèce dans le substrat et réduira la rugosité de la surface  lorsque le substrat sera clivé le long de la couche de microbulles.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)