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1. (WO2009114282) PROCÉDÉ ET CIRCUIT POUR UN LIMITEUR DE PLAGE DE FONCTIONNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/114282    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/035330
Date de publication : 17.09.2009 Date de dépôt international : 26.02.2009
CIB :
G05F 1/00 (2006.01)
Déposants : MSILICA INCORPORATED [US/US]; 3300 Central Expressway Santa Clara, California 95051 (US) (Tous Sauf US).
SANTO, Hendrik [US/US]; (US) (US Seulement).
S, Dilip [US/US]; (US) (US Seulement).
VI, Kien [US/US]; (US) (US Seulement).
GHOMAN, Ranajit [US/US]; (US) (US Seulement).
SCHINDLER, Matthew D. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SANTO, Hendrik; (US).
S, Dilip; (US).
VI, Kien; (US).
GHOMAN, Ranajit; (US).
SCHINDLER, Matthew D.; (US)
Mandataire : JOSHI, Vinay; Turocy & Watson, LLP 127 Public Square 57th Floor, Key Tower Cleveland, Ohio 44114 (US)
Données relatives à la priorité :
12/045,588 10.03.2008 US
Titre (EN) METHOD AND CIRCUIT FOR AN OPERATING AREA LIMITER
(FR) PROCÉDÉ ET CIRCUIT POUR UN LIMITEUR DE PLAGE DE FONCTIONNEMENT
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to circuits and methods for limiting the operating area of a transistor in a constant current source. The circuits and methods use a detector and a driver to limit the operating area of a transistor. The detector and driver have parameters selected so that, when the voltage at the drain of the transistor satisfies a reference condition, the driver causes drain current of the transistor to decrease. The reference condition is determined relative to the maximum safe drain-to-source voltage at the design drain current of the constant current source.
(FR)La présente invention concerne des circuits et des procédés pour limiter la plage de fonctionnement d’un transistor dans une source de courant constant. Les circuits et les procédés emploient un détecteur et un circuit de commande pour limiter la plage de fonctionnement d’un transistor. Le détecteur et le circuit de commande possèdent des paramètres qui sont sélectionnés de telle sorte que, lorsque la tension au drain du transistor satisfait à une condition de référence, le circuit de commande provoque une diminution du courant de drain du transistor. La condition de référence est déterminée par rapport à la tension drain/source de sécurité maximale au courant de drain théorique de la source de courant constant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)