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1. (WO2009114281) POLISSAGE D’UN SUBSTRAT MÉTALLIQUE POUR UNE PILE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/114281    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/035328
Date de publication : 17.09.2009 Date de dépôt international : 26.02.2009
CIB :
H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : MIASOLE [US/US]; 2590 Walsh Avenue Santa Clara, CA 95051 (US) (Tous Sauf US).
CORNEILLE, Jason, Stephen [US/US]; (US) (US Seulement).
CROFT, Steven, Thomas [US/US]; (US) (US Seulement).
WUDU, Mulugeta, Zerfu [ET/US]; (US) (US Seulement).
MCCOLL, William, James [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CORNEILLE, Jason, Stephen; (US).
CROFT, Steven, Thomas; (US).
WUDU, Mulugeta, Zerfu; (US).
MCCOLL, William, James; (US)
Mandataire : AUSTIN, James, E.; WEAVER AUSTIN VILLENEUVE & SAMPSON LLP P.O. Box 70250 Oakland, California 94612-0250 (US)
Données relatives à la priorité :
12/049,159 14.03.2008 US
Titre (EN) SMOOTHING A METALLIC SUBSTRATE FOR A SOLAR CELL
(FR) POLISSAGE D’UN SUBSTRAT MÉTALLIQUE POUR UNE PILE SOLAIRE
Abrégé : front page image
(EN)A method for smoothing the surface of a metallic substrate. The method includes providing a metallic substrate and smoothing a surface of the metallic substrate by irradiating the surface with a high-intensity energy source, such that the surface is smoothed to remove defects from the surface by creating an altered surface layer. The altered surface layer is configured to receive at least one layer in a fabrication process of an electronic device.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant le polissage de la surface d’un substrat métallique. Le procédé comprend la mise à disposition d’un substrat métallique et le polissage d’une surface du substrat métallique par l’irradiation de la surface avec une source d’énergie de haute intensité, de sorte que la surface soit polie pour éliminer tous les défauts de la surface par la création d’une couche superficielle modifiée. La couche superficielle modifiée est configurée pour recevoir au moins une couche dans un procédé de fabrication d’un dispositif électronique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)