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1. (WO2009114229) PROCÉDÉ DE PLANARISATION SÉLECTIVE ET DISPOSITIFS FABRIQUÉS SUR DES STRUCTURES PLANARISÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/114229    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/033984
Date de publication : 17.09.2009 Date de dépôt international : 13.02.2009
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : RESEARCH TRIANGLE INSTITUTE [US/US]; 3040 Cornwallis Road, P.O.Box 12194, Research Triangle Park, NC 27709 (US) (Tous Sauf US).
TEMPLE, Dorota [US/US]; (US) (US Seulement).
MALTA, Dean, Michael [US/US]; (US) (US Seulement).
BOWER, Christopher, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : TEMPLE, Dorota; (US).
MALTA, Dean, Michael; (US).
BOWER, Christopher, A.; (US)
Mandataire : KUESTERS, Eckhard, H.; Oblon, Spivak. Mcclelland, Maier, & Neustadt, P.C., 1940 Duke Street, Alexandria, VA 22314 (US)
Données relatives à la priorité :
61/036,814 14.03.2008 US
Titre (EN) SELECTIVE PLANARIZATION METHOD AND DEVICES FABRICATED ON PLANARIZED STRUCTURES
(FR) PROCÉDÉ DE PLANARISATION SÉLECTIVE ET DISPOSITIFS FABRIQUÉS SUR DES STRUCTURES PLANARISÉES
Abrégé : front page image
(EN)A method and system for treating a surface structure of a workpiece. The method provides a carrier-gel to the surface structure of the workpiece. The carrier-gel includes an etchant for selectively etching a first material of the surface structure and has a gel particle size larger than the surface structure. The method etches the first material from the surface structure by a reaction of the etchant included in the carrier-gel with the first material of the surface structure in order to remove a part of the first material from the surface structure for subsequent device fabrication. The system includes a chemical reactor supporting the workpiece. The chemical reactor is configured to flow the carrier-gel noted to the surface structure of the workpiece in order to remove the first material from the surface structure.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un système pour traiter une structure de surface d’une pièce de travail. Le procédé fait appel à un gel support sur la structure de surface de la pièce de travail. Le gel support comprend un agent d’attaque chimique permettant d’attaquer chimiquement de manière sélective un premier matériau de la structure de surface et présente une taille de particule de gel plus grande que la structure de surface. Le procédé attaque le premier matériau chimiquement partir de la structure de surface par une réaction de l’agent d’attaque chimique dans le gel support avec le premier matériau de la structure de surface dans le but d’enlever une partie du premier matériau de la structure de surface pour une fabrication ultérieure de dispositif. Le système comprend un réacteur chimique supportant la pièce de travail. Le réacteur chimique est conçu pour faire circuler le gel support sur la structure de surface de la pièce de travail dans le but d’enlever le premier matériau de la structure de surface.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)