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1. (WO2009114213) TECHNIQUE DE RÉFÉRENCE DE LECTURE AVEC PROTECTION VIS-À-VIS DE LA DÉGRADATION DU COURANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/114213    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/031945
Date de publication : 17.09.2009 Date de dépôt international : 26.01.2009
CIB :
G11C 16/34 (2006.01), G11C 16/28 (2006.01), G11C 16/32 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
MU, Fuchen [CN/US]; (US) (US Seulement).
CABASSI, Marco A. [IT/US]; (US) (US Seulement).
SYZDEK, Ronald J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MU, Fuchen; (US).
CABASSI, Marco A.; (US).
SYZDEK, Ronald J.; (US)
Mandataire : KING, Robert L.; 7700 W. Parmer Lane, MD: TX32/PL02, Austin, TX 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
12/048,683 14.03.2008 US
Titre (EN) READ REFERENCE TECHNIQUE WITH CURRENT DEGRADATION PROTECTION
(FR) TECHNIQUE DE RÉFÉRENCE DE LECTURE AVEC PROTECTION VIS-À-VIS DE LA DÉGRADATION DU COURANT
Abrégé : front page image
(EN)A set of reference cells (114, 115, 214, 215) is used for sensing the data values stored at bit cells (112) of a memory device (100). In response to an event (302), the reference cell providing the highest output of the set is selected as the reference cell to be used for subsequent memory access operations. The remaining reference cells are disabled so that they can recover back to or near their original non-degraded states. At each successive event, the set of reference cells (114, 115, 214, 215) can be reassessed to identify the reference cell that provides the highest output at that time and the memory device (100) can be reconfigured to utilize the reference cell so identified. Alternately, the reference cell to be used for the next duration can be selected using a predetermined selection scheme or an arbitrary selection scheme. By alternating the use of a reference cell to provide the read reference and disabling the remaining reference cells among a set of available reference cells (114, 115, 214, 215), the likelihood of the read reference falling below a minimum threshold can be reduced.
(FR)Selon l’invention, un ensemble de cellules de référence (114, 115, 214, 215) est utilisé pour détecter les valeurs de données stockées au niveau de cellules binaires (112) d’un dispositif de mémoire (100). En réponse à un événement (302), la cellule de référence fournissant la sortie la plus élevée de l’ensemble est sélectionnée en tant que cellule de référence devant être utilisée pour des opérations ultérieures d’accès à la mémoire. Les cellules de référence restantes sont désactivées de telle sorte qu’elles peuvent retourner à leurs états non dégradés initiaux ou à des proches de ceux-ci. A chaque événement successif, l’ensemble de cellules de référence (114, 115, 214, 215) peut être réévalué pour identifier la cellule de référence qui fournit la sortie la plus élevée à ce moment et le dispositif de mémoire (100) peut être reconfiguré pour utiliser la cellule de référence ainsi identifiée. En variante, la cellule de référence devant être utilisée pour la prochaine durée peut être sélectionnée à l’aide d’un schéma de sélection prédéterminé ou d’un schéma de sélection arbitraire. Par l’alternance de l’utilisation d’une cellule de référence pour fournir la référence de lecture et par la désactivation des cellules de référence restantes parmi un ensemble de cellules de référence disponibles (114, 115, 214, 215), la probabilité que la référence de lecture tombe au-dessous d’un seuil minimal peut être réduite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)