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1. (WO2009114184) PROCÉDÉ DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR AVEC SOURCE DE RÉPARTITION DE VITESSE IONIQUE ISOTROPE À LA SURFACE DE LA TRANCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/114184    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/001611
Date de publication : 17.09.2009 Date de dépôt international : 12.03.2009
CIB :
H01L 21/203 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : HOFFMAN, Daniel J.; (US).
BROWN, Karl M.; (US).
RUI, Ying; (US).
PIPITONE, John; (US)
Mandataire : WALLACE, Robert, M.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/077,067 14.03.2008 US
Titre (EN) PHYSICAL VAPOR DEPOSITION METHOD WITH A SOURCE OF ISOTROPIC ION VELOCITY DISTRIBUTION AT THE WAFER SURFACE
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR AVEC SOURCE DE RÉPARTITION DE VITESSE IONIQUE ISOTROPE À LA SURFACE DE LA TRANCHE
Abrégé : front page image
(EN)In a plasma enhanced physical vapor deposition of a material onto workpiece, a metal target faces the workpiece across a target-to-workpiece gap less than a diameter of the workpiece. A carrier gas is introduced into the chamber and gas pressure in the chamber is maintained above a threshold pressure at which mean free path is less than 5% of the gap. RF plasma source power from a VHF generator is applied to the target to generate a capacitively coupled plasma at the target, the VHF generator having a frequency exceeding 30 MHz. The plasma is extended across the gap to the workpiece by providing through the workpiece a first VHF ground return path at the frequency of the VHF generator.
(FR)L’invention concerne un dépôt physique amélioré en phase vapeur d’un matériau sur une pièce de fabrication, où une cible métallique se trouve en face de la pièce de fabrication avec un intervalle entre la cible et la pièce de fabrication inférieur à un diamètre de la pièce de fabrication. Un gaz vecteur est introduit dans la chambre et la pression du gaz dans la chambre est maintenue au-dessus d’une pression seuil à laquelle le passage libre moyen est inférieur à 5 % de l’intervalle. Un flux énergétique source de plasma RF provenant d’un générateur VHF est appliqué à la cible pour générer un plasma couplé de manière capacitative au niveau de la cible, le générateur VHF ayant une fréquence dépassant 30 MHz. Le plasma se déploie à travers l’intervalle vers la pièce de fabrication en appliquant à travers la pièce de fabrication un premier retour VHF à la terre à la fréquence du générateur VHF.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)