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1. (WO2009114130) PROCESSUS ET APPAREIL DE SYNTHÈSE DE DIAMANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/114130    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/001528
Date de publication : 17.09.2009 Date de dépôt international : 10.03.2009
CIB :
C30B 9/00 (2006.01), C23C 16/00 (2006.01), C23C 16/26 (2006.01)
Déposants : MICHIGAN STATE UNIVERSITY [US/US]; 238 Administration Building East Lansing, MI 48824 (US) (Tous Sauf US).
FRAUNHOFER USA [US/US]; 46025 Port Street Plymouth, MI 48170 (US) (Tous Sauf US).
ASMUSSEN, Jes [US/US]; (US) (US Seulement).
GROTJOHN, Timothy [US/US]; (US) (US Seulement).
REINHARD, Donnie [US/US]; (US) (US Seulement).
RAMAMURTI, Rahul [IN/US]; (US) (US Seulement).
YARAN, M., Kagan [TR/US]; (US) (US Seulement).
SCHUELKE, Thomas [US/US]; (US) (US Seulement).
BECKER, Michael [DE/US]; (US) (US Seulement).
KING, David [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ASMUSSEN, Jes; (US).
GROTJOHN, Timothy; (US).
REINHARD, Donnie; (US).
RAMAMURTI, Rahul; (US).
YARAN, M., Kagan; (US).
SCHUELKE, Thomas; (US).
BECKER, Michael; (US).
KING, David; (US)
Mandataire : MCLEOD, Ian, C.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/069,200 13.03.2008 US
Titre (EN) PROCESS AND APPARATUS FOR DIAMOND SYNTHESIS
(FR) PROCESSUS ET APPAREIL DE SYNTHÈSE DE DIAMANT
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a microwave plasma deposition process and apparatus for producing diamond, preferably as single crystal diamond (SCD). The process and apparatus enables the production of multiple layers of the diamond by the use of an extending device to increase the length and the volume of a recess in a holder containing a SCD substrate as layers of diamond are deposited. The diamond is used for abrasives, cutting tools, gems, electronic substrates, heat sinks, electrochemical electrodes, windows for high power radiation and electron beams, and detectors.
(FR)La présente invention concerne un procédé de dépôt par plasma micro-onde et un appareil de fabrication de diamant, de préférence comme diamant monocristal (SCD). Le processus et l'appareil permettent la production de multiples couches du diamant grâce à un dispositif d'extension pour augmenter la longueur et le volume d'un retrait dans un support contenant un substrat SCD pendant la dépose de couches de diamant. Le diamant sert aux abrasifs, outils de découpe, pierres précieuses taillées, substrats électroniques, dissipateurs de chaleur, électrodes électrochimiques, fenêtres pour faisceaux d'électrons et de radiation haute puissance, et détecteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)