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1. (WO2009113458) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DU GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, DISPOSITIF D'ÉMISSION DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DU GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET LAMPE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/113458    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/054310
Date de publication : 17.09.2009 Date de dépôt international : 06.03.2009
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01), H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/16 (2010.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058518 (JP) (Tous Sauf US).
MIKI, Hisayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOKOYAMA, Yasunori [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIKI, Hisayuki; (JP).
YOKOYAMA, Yasunori; (JP)
Mandataire : SHIGA, Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo, 1006620 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-064111 13.03.2008 JP
Titre (EN) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DU GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, DISPOSITIF D'ÉMISSION DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DU GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET LAMPE
(JA) III族窒化物半導体素子及びその製造方法、III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a group III nitride semiconductor device wherein at least a buffer layer (12) composed of a group III nitride compound is arranged on a substrate (11). The buffer layer (12) is composed of AlN, and the lattice constant of the a-axis of the buffer layer (12) is smaller than the lattice constant of the a-axis of AlN in a bulk state.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur au nitrure du groupe III dans lequel au moins une couche tampon (12) composée d'un composé nitrure du groupe III est disposée sur un substrat (11). La couche tampon (12) est composée de AlN, et la constante de réseau de l'axe a de la couche tampon (12) est inférieure à la constante de réseau de l'axe a de AlN dans un état massif.
(JA) 本発明のIII族窒化物半導体素子は、基板(11)上に、少なくともIII族窒化物化合物からなるバッファ層(12)が積層されてなり、該バッファ層(12)がAlNからなり、該バッファ層(12)のa軸の格子定数が、バルク状態におけるAlNのa軸の格子定数よりも小さい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)