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1. (WO2009113402) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR GRAVER DES FILMS CONTENANT DU SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/113402    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/053581
Date de publication : 17.09.2009 Date de dépôt international : 26.02.2009
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H05H 1/24 (2006.01)
Déposants : SEKISUI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 4-4, Nishitemma 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka, 5308565 (JP) (Tous Sauf US).
KUNUGI, Shunsuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KUNUGI, Shunsuke; (JP)
Mandataire : WATANABE, Noboru; Kudanminami Green Bldg. 3F., 7-7, Kudanminami 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1020074 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-064027 13.03.2008 JP
2008-228247 05.09.2008 JP
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING SILICON-CONTAINING FILMS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR GRAVER DES FILMS CONTENANT DU SILICIUM
(JA) シリコン含有膜のエッチング方法および装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a method and apparatus for achieving residue-free etching of a silicon-containing film in which the treatment time is short and etching of the underlying film is prevented. A treatment gas which includes a fluorine-based reaction component and H2O or a compound which includes an OH group is brought into contact with a material to be treated (90) and a silicon-containing film (93) is etched. The proportion of H2O or compound which includes an OH group in the treatment gas is changed as the etching proceeds. Preferably the proportion of water or compound which includes an OH group is high in a first etching process, in which most of the part of the silicon-containing film which is to be etched is etched, and low in a second etching process, in which the remaining silicon-containing film is etched.
(FR)L'invention porte sur un procédé et sur un appareil pour réaliser une gravure sans résidu d'un film contenant du silicium, dans lesquels le temps de traitement est court et une gravure du film sous-jacent est empêchée. Un gaz de traitement qui comprend un composant réactionnel à base de fluor et H2O ou un composé qui comprend un groupe OH est amené en contact avec un matériau devant être traité (90) et un film contenant du silicium (93) est gravé. La proportion de H2O ou du composé qui comprend un groupe OH dans le gaz de traitement est modifiée à mesure que la gravure progresse. De préférence, la proportion d'eau ou du composé qui comprend un groupe OH est élevée dans un premier traitement de gravure, dans lequel la majeure partie du film contenant du silicium qui doit être gravé est gravée, et faible dans un second traitement de gravure, dans lequel le reste du film contenant du silicium est gravé.
(JA)【課題】処理時間を短縮し、かつ下地膜のエッチングを抑制しつつ、シリコン含有膜を残渣無くエッチングする。 【解決手段】フッ素系反応成分と、HO又はOH基含有化合物とを含む処理ガスを被処理物90に接触させ、シリコン含有膜93をエッチングする。処理ガス中のHO又はOH基含有化合物の含有率をエッチングの進行に応じて変化させる。好ましくは、シリコン含有膜のエッチングすべき部分の大半をエッチングする第1エッチング工程では上記含有率を高くし、残りのシリコン含有膜をエッチングする第2エッチング工程では上記含有率を低くする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)