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1. (WO2009112306) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/112306    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/050994
Date de publication : 17.09.2009 Date de dépôt international : 29.01.2009
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin de Franques, F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
MALEVILLE, Christophe [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : MALEVILLE, Christophe; (FR)
Mandataire : WARCOIN, AHNER, TEXIER, LE FORESTIER, CALLON DE LAMARCK, COLLIN, TETAZ-CABINET REGIMBEAU; 20, rue de Chazelles, F-75847 Paris Cedex 17 (FR)
Données relatives à la priorité :
0851566 11.03.2008 FR
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR ON INSULATOR TYPE SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method forfabricating a substrate (1) of semiconductor on insulatortype, comprising the following steps: - formation of an oxide layer (20) on a donor substrate (10) or a receiver substrate (30), - implantation of atomic species in the donor substrate so as to form a weakened zone(12), - bonding of the donor substrate onto the receiver substrate (30), the oxide layer (20) being at the bonding interface, - fracturing the donor substrate in the weakened zone (12) and transferring a layer of the donor substrate to the receiver substrate (30), - recycling of the remainder (2) of the donor substrate to form a receiver substrate (40) used for fabrication of a second semiconductor on insulator type 10 substrate. Before the oxidation step, a layer(14) of semiconducting materialis formed by epitaxy onthedonor substrate (10). In the implantation step, the weakened zone (12) formed in said epitaxied layer (14) so that the transferred layer is an epitaxied semiconducting material layer (140). And the donor substrate (10) is chosen comprising oxygen precipitates with a density of less than1010 /cm3 and/or a mean size of less than 500 nm.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de fabrication d'un substrat (1) de type semi-conducteur sur isolant, le procédé comprenant les étapes qui consistent à : former une couche d'oxyde (20) sur un substrat donneur (10) ou un substrat récepteur (30), implanter des espèces atomiques dans le substrat donneur de façon à former une zone affaiblie (12), lier le substrat donneur sur le substrat récepteur (30), la couche d'oxyde (20) se trouvant à l'interface de liaison, fracturer le substrat donneur dans la zone affaiblie (12) et transférer une couche du substrat donneur au substrat récepteur (30), recycler le reste (2) du substrat donneur pour former un substrat récepteur (40) utilisé pour la fabrication d'un second substrat de type semi-conducteur sur isolant. Avant l'étape d'oxydation, une couche (14) de matériau semi-conducteur est formée par épitaxie sur le substrat donneur (10). Dans l'étape d'implantation, la zone affaiblie (12) est formée dans ladite couche épitaxiée (14) de sorte que la couche transférée est une couche de matériau semi-conducteur épitaxiée (140). De plus, on choisit un substrat donneur (10) qui comprend des précipités d'oxygène ayant une densité inférieure à 1010/cm3 et/ou une dimension moyenne inférieure à 500 nm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)