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1. (WO2009112020) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLURALITÉ DE PUCES À SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES ET PUCE À SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/112020    N° de la demande internationale :    PCT/DE2009/000332
Date de publication : 17.09.2009 Date de dépôt international : 09.03.2009
CIB :
H01L 25/075 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg (DE) (Tous Sauf US).
ENGL, Karl [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STRASSBURG, Martin [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
AVRAMESCU, Adrian Stefan [RO/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : ENGL, Karl; (DE).
STRASSBURG, Martin; (DE).
AVRAMESCU, Adrian Stefan; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2008 013 900.9 12.03.2008 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
(EN) METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF OPTOELECTRONIC SEMI-CONDUCTOR CHIPS AND OPTOELECTRONIC SEMI-CONDUCTOR CHIP
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLURALITÉ DE PUCES À SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES ET PUCE À SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips mit vergrabener p-Seite, aufweisend die folgenden Verfahrensschritte angegeben: a) Herstellen eines Wafers (1, 2, 3) mit einer Halbleiterschichtenfolge (100, 200, 300), die eine n-dotierte Schicht (12, 22, 32), eine aktive Schicht (13, 23, 33) und eine p-dotierte Schicht (14, 24, 34) umfasst, wobei die aktive Schicht zwischen der n-dotierten Schicht und der p-dotierten Schicht angeordnet ist und die p-dotierte Schicht freigelegt ist, b) elektrisches Aktivieren der Akzeptoren in der freigelegten p-dotierten Schicht (14, 24, 34) durch ein thermisches Aktivierungsverfahren, c) Abdecken der p-dotierten Schicht (14, 24, 34), und d) Vereinzeln des Wafers (1, 2, 3) in eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips.
(EN)The invention relates to a method for producing a plurality of optoelectronic semi-conductor chips having buried p-sides, comprising  the following steps: a) producing a wafer (1, 2, 3) having a semi-conductor layer sequence (100, 200, 300), which comprises an n-doped layer (12, 22, 32), an active layer (13, 23, 33) and a p-doped layer (14, 24, 34), wherein the active layer is disposed between the n-doped layer and the p-doped layer and the p-doped layer is exposed, b) electrically activating the acceptors in the exposed p-doped layer (14, 24, 34) by a thermal activation method, c) covering the p-doped layer (14, 24, 34), and d) dicing the wafer (1, 2 3) into a plurality of optoelectronic semi-conductor chips.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une pluralité de puces à semi-conducteurs optoélectroniques comportant un côté p enfoui. Le procédé comporte les étapes suivantes: a) fabrication d'une plaquette (1, 2, 3) présentant une suite de couches à semi-conducteurs (100, 200, 300) comprenant une couche dopée n (12, 22, 32), une couche active (13, 23, 33) et une couche dopée p (14, 24, 34), la couche active étant disposée entre la couche dopée n et la couche dopée p, et la couche dopée p étant libérée; b) activation électrique des accepteurs dans la couche dopée p libérée (14, 24, 34) au moyen d'un procédé d'activation thermique; c) couverture de la couche dopée p (14, 24, 34); et d) individualisation de la plaquette (1, 2, 3) en une pluralité de puces à semi-conducteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)