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1. (WO2009111911) DEL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE DEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/111911    N° de la demande internationale :    PCT/CN2008/001036
Date de publication : 17.09.2009 Date de dépôt international : 28.05.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.06.2008    
CIB :
H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01)
Déposants : HE SHAN LIDE ELECTRONIC ENTERPRISE COMPANY LTD. [CN/CN]; 301#, Xiang He Road, Gong He Town He Shan City, Guangdong 529728 (CN) (Tous Sauf US).
FAN, Ben [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WENG, Joe [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : FAN, Ben; (CN).
WENG, Joe; (CN)
Mandataire : ADVANCE CHINA I. P. LAW OFFICE; ZENG, Minhui, Suite 918-920, 9/F., Dong Shan Plaza, NO.69, Xianlie Central Road, Guangzhou, Guangdong 510095 (CN)
Données relatives à la priorité :
200810026797.7 13.03.2008 CN
Titre (EN) A LED AND THE MANUFACTURING METHOD OF LED
(FR) DEL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE DEL
(ZH) 一种发光二极管器件及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)A LED and the manufacturing method of LED .The LED includes: a substrate (16,26,36);a n-type semiconductor layer(15,25,35),which is located on the substrate (16,26,36);a luminous layer (4,14,24,34),which is located on the n-type semiconductor layer(15,25,35);a p-type semiconductor layer (13,23,33),which is located on the luminous layer (4,14,24,34);and a transparent electrode layer (12,22,32),which is located on the p-type semiconductor layer (13,23,33).The upper surface of the transparent electrode layer (12,22,32) has many concavo convex structure .The LED decreases or avoids optical loss which is created by total reflection ,the LED increases the exterior optical efficiency of the LED.
(FR)L'invention concerne une DEL et le procédé de fabrication de la DEL. La DEL comprend : un substrat (16, 26, 36) ; une couche semi-conductrice de type n (15, 25, 35), qui est située sur le substrat (16, 26, 36) ; une couche lumineuse (4, 14, 24, 34), qui est située sur la couche semi-conductrice de type n (15, 25, 35) ; une couche semi-conductrice de type p (13, 23, 33), qui est située sur la couche lumineuse (4, 14, 24, 34) ; et une couche d'électrode transparente (12, 22, 32) qui est située sur la couche semi-conductrice de type p (13, 23, 33). La surface supérieure de la couche d'électrode transparente (12, 22, 32) comporte plusieurs structures concavo-convexes. Cette DEL permet de réduire ou d'éviter la perte optique qui est créée par réflexion totale, elle augmente son efficacité optique extérieure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)