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1. WO2009111832 - NOUVEAU TYPE DE MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR SANS BANDE INTERDITE

Numéro de publication WO/2009/111832
Date de publication 17.09.2009
N° de la demande internationale PCT/AU2009/000293
Date du dépôt international 12.03.2009
CIB
H01L 29/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 49/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01S 3/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
3Lasers, c. à d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, le visible ou l’ultraviolet
14caractérisés par le matériau utilisé comme milieu actif
H01L 33/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01S 3/102 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
3Lasers, c. à d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, le visible ou l’ultraviolet
10Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p.ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation
102par commande du milieu actif, p.ex. par commande des procédés ou des appareils pour l'excitation
H01S 5/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
04Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
CPC
B82Y 25/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
25Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
G01R 33/093
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
093using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
G01R 33/1284
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
12Measuring magnetic properties of articles or specimens of solids or fluids
1284Spin resolved measurements; Influencing spins during measurements, e.g. in spintronics devices
G11B 5/3993
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
5Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, ; i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
39using magneto-resistive devices ; or effects
3903using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
3993in semi-conductors
H01F 1/401
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
1Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
01of inorganic materials
40of magnetic semiconductor materials, e.g. CdCr2S4
401diluted
H01L 2029/42388
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
423not carrying the current to be rectified, amplified or switched
42312Gate electrodes for field effect devices
42316for field-effect transistors
4232with insulated gate
42384for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
42388characterised by the shape of the insulating material
Déposants
  • UNIVERSITY OF WOLLONGONG [AU]/[AU] (AllExceptUS)
  • WANG, Xiaolin [AU]/[AU] (UsOnly)
Inventeurs
  • WANG, Xiaolin
Mandataires
  • GRIFFITH HACK
Données relatives à la priorité
200890117312.03.2008AU
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) A NEW TYPE OF GAPLESS SEMICONDUCTOR MATERIAL
(FR) NOUVEAU TYPE DE MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR SANS BANDE INTERDITE
Abrégé
(EN)
The present disclosure provides a new type of gapless semiconductor material having electronic properties that can be characterized by an electronic band structure which comprises valence and conduction band portions VB1 and CB1, respectively, for a first electron spin polarisation, and valence and conducting band portions VB2 and CB2, respectively, for a second electron spin polarisation. The valence band portion VB1 has a first energy level and one of CB1 and CB2 have a second energy level that are positioned so that gapless electronic transitions are possible between VB1 and the one of CB1 and CB2, and wherein the gapless semiconductor material is arranged so that an energy bandgap is defined between VB2 and the other one of CB1 and CB2.
(FR)
La présente invention concerne un nouveau type de matériau semi-conducteur sans bande interdite ayant des propriétés électroniques qui peuvent être caractérisées par une structure de bandes électroniques qui comprend des parties de bandes de valence et de conduction VB1 et CB1, respectivement, pour une première polarisation de spin électronique, et des parties de bandes de valence et de conduction VB2 et CB2, respectivement, pour une seconde polarisation de spin électronique. La partie de bande de valence VB1 a un premier niveau d’énergie et l’une de CB1 et de CB2 a un second niveau d’énergie, les niveaux étant positionnés de sorte que des transitions électroniques sans bande interdite sont possibles entre VB1 et ladite une de CB1 et de CB2, le matériau semi-conducteur sans bande interdite étant agencé de sorte qu’une énergie de bande interdite est définie entre VB2 et l’autre de CB1 et de CB2.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international