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1. (WO2009111790) DISPOSITIFS OPTIQUES COMPORTANT DES COUCHES DE SEMI-CONDUCTEUR TEXTURÉES NON POLAIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/111790    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/036554
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 09.03.2009
CIB :
H01L 33/20 (2010.01), H01L 33/24 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/16 (2010.01)
Déposants : TRUSTEES OF BOSTON UNIVERSITY [US/US]; One Silber Way Boston, MA 02215 (US) (Tous Sauf US).
MOUSTAKAS, Theodore, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
MOLDAWER, Adam [US/US]; (US) (US Seulement).
BHATTACHARYYA, Anirban [IN/US]; (US) (US Seulement).
ABELL, Joshua [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MOUSTAKAS, Theodore, D.; (US).
MOLDAWER, Adam; (US).
BHATTACHARYYA, Anirban; (US).
ABELL, Joshua; (US)
Mandataire : HYMEL, Lin, J.; Weingarten, Schurgin, Gagnebin & Lebovici, LLP Ten Post Office Square Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
61/068,605 07.03.2008 US
Titre (EN) OPTICAL DEVICES FEATURING NONPOLAR TEXTURED SEMICONDUCTOR LAYERS
(FR) DISPOSITIFS OPTIQUES COMPORTANT DES COUCHES DE SEMI-CONDUCTEUR TEXTURÉES NON POLAIRES
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor emitter, or a precursor therefor, has a substrate and one or more textured semiconductor layers deposited onto the substrate in a nonpolar orientation. The textured layers enhance light extraction, and the use of nonpolar orientation greatly enhances internal quantum efficiency compared to conventional devices. Both the internal and external quantum efficiencies of emitters of the invention can be 70-80% or higher. The invention provides highly efficient light emitting diodes suitable for solid state lighting.
(FR)L’invention concerne un émetteur à semi-conducteur, ou l’un de ses précurseurs, qui comporte un substrat et une ou plusieurs couches de semi-conducteur texturées déposées sur le substrat dans une orientation non polaire. Les couches texturées favorisent l’extraction de lumière, et l’utilisation d’une orientation non polaire augmente considérablement le rendement quantique interne en comparaison à des dispositifs classiques. Les rendements quantiques interne et externe des émetteurs de l’invention peuvent être de 70 à 80 % ou plus. L’invention des diodes électroluminescentes à haut rendement appropriées pour un dispositif d’éclairage à semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)