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1. (WO2009111719) COMPOSITION DE NETTOYAGE HUMIDE PAR ATTAQUE À UN OXYDE NON SÉLECTIF ET PROCÉDÉ D’UTILISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/111719    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/036366
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 06.03.2009
CIB :
C09K 13/08 (2006.01)
Déposants : ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [US/US]; 7 Commerce Drive Danbury, Connecticut 06810 (US) (Tous Sauf US).
SONTHALIA, Prerna [IN/IN]; (IN) (US Seulement).
COOPER, Emanuel [US/US]; (US) (US Seulement).
MINSEK, David [US/US]; (US) (US Seulement).
ZHANG, Peng [CN/US]; (US) (US Seulement).
PETRUSKA, Melissa A. [US/US]; (US) (US Seulement).
SERKE, Brittany [US/US]; (US) (US Seulement).
HURD, Trace Quentin [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SONTHALIA, Prerna; (IN).
COOPER, Emanuel; (US).
MINSEK, David; (US).
ZHANG, Peng; (US).
PETRUSKA, Melissa A.; (US).
SERKE, Brittany; (US).
HURD, Trace Quentin; (US)
Mandataire : FUIERER, Tristan; P.O. Box 13706 Research Triangle Park, North Carolina 27709 (US)
Données relatives à la priorité :
61/034,891 07.03.2008 US
61/077,155 30.06.2008 US
Titre (EN) NON-SELECTIVE OXIDE ETCH WET CLEAN COMPOSITION AND METHOD OF USE
(FR) COMPOSITION DE NETTOYAGE HUMIDE PAR ATTAQUE À UN OXYDE NON SÉLECTIF ET PROCÉDÉ D’UTILISATION
Abrégé : front page image
(EN)Composition and method to remove undoped silicon-containing materials from microelectronic devices at rates greater than or equal to the removal of doped silicon-containing materials.
(FR)L’invention concerne une composition et un procédé pour éliminer des matières contenant du silicium non dopé de dispositifs microélectroniques à des taux supérieurs ou égaux au retrait de matières contenant du silicium dopé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)