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1. (WO2009111669) TECHNIQUES DE DOPAGE SANS MASQUE POUR CELLULES SOLAIRES

Pub. No.:    WO/2009/111669    International Application No.:    PCT/US2009/036239
Publication Date: 11 sept. 2009 International Filing Date: 5 mars 2009
IPC: H01L 31/042
H01L 21/265
Applicants: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES
GUPTA, Atul
BATEMAN, Nicholas, P.T.
MURPHY, Paul, J.
RENAU, Anthony
CARLSON, Charles
Inventors: GUPTA, Atul
BATEMAN, Nicholas, P.T.
MURPHY, Paul, J.
RENAU, Anthony
CARLSON, Charles
Title: TECHNIQUES DE DOPAGE SANS MASQUE POUR CELLULES SOLAIRES
Abstract:
La présente invention concerne un procédé amélioré et à moindre coût permettant de produire des cellules solaires à l’aide de la technologie de l’émetteur sélectif. Les régions de contact sont créées sur le substrat sans utilisation de la lithographie ou d’un masque. Le procédé utilise la technologie de l’implantation ionique, et des conditions de précision relativement faible des régions de contact pour réduire les étapes de procédé nécessaires pour produire une cellule solaire. Dans certains modes de réalisation, le courant du faisceau d’ions est sélectivement modifié pour créer les régions de contact fortement dopées. Dans d’autres modes de réalisation, le faisceau d’ions est concentré, soit par l’utilisation d’une ouverture, soit par le biais de réglages des composants de la ligne de faisceau pour créer le profil de dopage nécessaire. Dans d’autres modes de réalisation encore, le taux de balayage de la tranche est modifié pour créer le motif d’implantation ionique souhaité.