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1. (WO2009111667) ÉTABLISSEMENT D'UNE CONCENTRATION RICHE EN PHOSPHORE DANS DES CELLULES SOLAIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/111667    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/036236
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 05.03.2009
CIB :
H01L 31/042 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US) (Tous Sauf US).
BATEMAN, Nicholas, P.T. [US/US]; (US) (US Seulement).
GUPTA, Atul [IN/US]; (US) (US Seulement).
HATEM, Christopher, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
PAPASOULIOTIS, George, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
MAYNARD, Helen, L. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BATEMAN, Nicholas, P.T.; (US).
GUPTA, Atul; (US).
HATEM, Christopher, R.; (US).
PAPASOULIOTIS, George, D.; (US).
MAYNARD, Helen, L.; (US)
Mandataire : CHOI, Changhoon; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US)
Données relatives à la priorité :
61/095,674 10.09.2008 US
12/397,596 04.03.2009 US
61/033,873 05.03.2008 US
Titre (EN) ESTABLISHING A HIGH PHOSPHORUS CONCENTRATION IN SOLAR CELLS
(FR) ÉTABLISSEMENT D'UNE CONCENTRATION RICHE EN PHOSPHORE DANS DES CELLULES SOLAIRES
Abrégé : front page image
(EN)Methods of controlling the diffusion of a dopant in a solar cell are disclosed. A second species is used in conjunction with the dopant to modify the diffusion region. For example, phosphorus and boron both diffuse by pairing with interstitial silicon atoms. Thus, by controlling the creation and location of these interstitials, the diffusion rate of the dopant can be controlled. In one embodiment, a heavier element, such as germanium, argon or silicon, is used to create interstitials. Because of the presence of these heavier elements, the dopant diffuses deeper into the substrate. In another embodiment, carbon is implanted. Carbon reduces the number of interstitials, and thus can be used to limit the diffusion of the dopant. In another embodiment, a lighter element, such as helium is used to amorphize the substrate. The crystalline-amorphous interface created limits diffusion of the dopant into the substrate.
(FR)L'invention concerne des procédés de régulation de la diffusion d'un dopant dans une cellule solaire. Une seconde espèce est utilisée conjointement au dopant pour modifier la zone de diffusion. Par exemple, le phosphore et le bore se diffusent tous les deux par appariement à des atomes de silicium interstitiels. Par conséquent, en contrôlant la création et l'emplacement de ces intersticiels, on peut réguler la vitesse de diffusion du dopant. Dans un mode de réalisation, un élément plus lourd, tel que le germanium, l'argon ou le silicium, est utilisé pour créer les intersticiels. En raison de la présence de ces éléments plus lourds, le dopant se diffuse plus profondément dans le substrat. Dans un autre mode de réalisation, du carbone est implanté. Le carbone réduit le nombre des intersticiels, et peut donc être utilisé pour limier la diffusion du dopant. Dans un autre mode de réalisation, un élément plus léger, tel que l'hélium, est utilisé pour amorphiser le substrat. L'interface amorphe cristalline créée limite la diffusion du dopant dans le substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)