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1. (WO2009111666) CONTREDOPAGE DE CELLULES SOLAIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/111666    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/036235
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 05.03.2009
CIB :
H01L 31/042 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US) (Tous Sauf US).
BATEMAN, Nicholas, P., T. [US/US]; (US) (US Seulement).
SULLIVAN, Paul [US/US]; (US) (US Seulement).
GUPTA, Atul [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BATEMAN, Nicholas, P., T.; (US).
SULLIVAN, Paul; (US).
GUPTA, Atul; (US)
Mandataire : CHOI, Changhoon; (US)
Données relatives à la priorité :
12/397,646 04.03.2009 US
61/074,278 20.06.2008 US
61/033,873 05.03.2008 US
61/096,378 12.09.2008 US
Titre (EN) COUNTERDOPING FOR SOLAR CELLS
(FR) CONTREDOPAGE DE CELLULES SOLAIRES
Abrégé : front page image
(EN)Methods of counterdoping a solar cell, particularly an IBC solar cell are disclosed. One surface of a solar cell may require portions to be n-doped, while other portions are p- doped. Traditionally, a plurality of lithography and doping steps are required to achieve this desired configuration. In contrast, one lithography step can be eliminated by the use of a blanket doping of one conductivity and a mask patterned counterdoping process of the opposite conductivity. The areas dosed during the masked patterned doping receive a sufficient dose so as to completely reverse the effect of the blanket doping and achieve a conductivity that is opposite the blanket doping. In another embodiment, the counterdoping is performed by means of a direct patterning technique, thereby eliminating the remaining lithography step. Various methods of direct counterdoping processes are disclosed.
(FR)La présente invention concerne des procédés de contredopage d’une cellule solaire, particulièrement d’une cellule solaire IBC. Certaines parties d’une surface d’une cellule solaire peuvent nécessiter un dopage n, tandis que d’autres parties peuvent nécessiter un dopage p. Traditionnellement, une pluralité d’étapes de lithographie et de dopage est nécessaire pour obtenir cette configuration souhaitée. En revanche, une étape de lithographie peut être éliminée par l’utilisation d’un dopage de protection d’une conductivité et d’un procédé de contredopage avec motif de masque de la conductivité opposée. Les zones bombardées pendant le dopage à motif de masque reçoivent une dose suffisante pour totalement inverser l’effet du dopage de protection et obtenir une conductivité qui est l’opposée du dopage de protection. Dans un autre mode de réalisation, le contredopage est effectué au moyen d’une technique de structuration directe, ce qui permet d’éliminer l’étape de lithographie restante. Divers procédés de contredopage direct sont décrits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)