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1. (WO2009111556) PIXEL DE DÉMODULATION DE CHAMP DE DÉRIVE POURVU D'UNE PHOTODIODE PIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/111556    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/036017
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 04.03.2009
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), G01J 9/00 (2006.01), G01S 7/491 (2006.01), G01S 17/89 (2006.01), H03D 9/06 (2006.01)
Déposants : MESA IMAGING AG [CH/CH]; Technoparkstrasse 1, CH-8005 Zurich (CH) (Tous Sauf US).
HOUSTON, J., Grant [US/US]; (US) (Tous Sauf US).
BUETTGEN, Bernhard [DE/CH]; (CH) (US Seulement).
LEHMANN, Michael [CH/CH]; (CH) (US Seulement).
FELBER, Jonas [--/CH]; (CH) (US Seulement)
Inventeurs : BUETTGEN, Bernhard; (CH).
LEHMANN, Michael; (CH).
FELBER, Jonas; (CH)
Mandataire : HOUSTON, J., Grant; Houston Eliseeva LLP, 4 Militia Drive Suite 4, Lexington, MA 02421 (US)
Données relatives à la priorité :
61/033,501 04.03.2008 US
Titre (EN) DRIFT FIELD DEMODULATION PIXEL WITH PINNED PHOTO DIODE
(FR) PIXEL DE DÉMODULATION DE CHAMP DE DÉRIVE POURVU D'UNE PHOTODIODE PIN
Abrégé : front page image
(EN)A pixel based on a pinned-photodiode structure that creates a lateral electric drift field. The combination of the photodiode with adjacent CCD gates enables the utilization of the drift field device in applications such as 3-D imaging. Compared with recently used demodulation devices in CCD or CMOS technology, the new pinned-photodiode based drift field pixel has its advantages in its wide independence of the quantum efficiency on the optical wavelength, its high optical sensitivity, the opportunity of easily creating arbitrary potential distributions in the semiconductor, the straight-forward routing capabilities and the generation of perfectly linear potential distributions in the semiconductor.
(FR)L'invention concerne un pixel basé sur une structure de photodiode PIN qui crée un champ de dérive électrique transversal. L'association de la photodiode avec des grilles de CCD adjacentes permet l'utilisation du dispositif de champ de dérive dans des applications telles que l'imagerie en 3D. Par comparaison à des dispositifs de démodulation utilisés récemment dans la technologie CCD ou CMOS, le nouveau pixel de champ de dérive basé sur une photodiode PIN a l'avantage d'avoir une grande indépendance du rendement quantique sur la longueur d'onde optique, une forte sensibilité optique, l'opportunité de créer facilement des répartitions potentielles arbitraires dans le semi-conducteur, des capacités d'acheminement direct et la génération de répartitions potentielles parfaitement linéaires dans le semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)