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1. (WO2009111473) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE D’UNE PELLICULE DIÉLECTRIQUE POREUSE À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/111473    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/035878
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 03.03.2009
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo, 107-6325 (JP) (Tous Sauf US).
LIU, Junjun [CN/US]; (US) (US Seulement).
TOMA, Dorel, I. [US/US]; (US) (US Seulement).
LEE, Eric, M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIU, Junjun; (US).
TOMA, Dorel, I.; (US).
LEE, Eric, M.; (US)
Mandataire : STRANG, Eric; 4350 W. Chandler Boulevard, Suite 10, Chandler, AZ 85226 (US)
Données relatives à la priorité :
12/043,772 06.03.2008 US
12/043,814 06.03.2008 US
12/043,835 06.03.2008 US
Titre (EN) METHOD FOR CURING A POROUS LOW DIELECTRIC CONSTANT DIELECTRIC FILM
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE D’UNE PELLICULE DIÉLECTRIQUE POREUSE À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method of curing a low dielectric constant (low-k) dielectric film on a substrate is described, wherein the dielectric constant of the low-k dielectric film is less than a value of approximately 4. The method comprises exposing the low-k dielectric film to infrared (IR) radiation and ultraviolet (UV) radiation.
(FR)L’invention concerne un procédé de traitement thermique d’une pellicule diélectrique à faible constante diélectrique (faible k) sur un substrat, dans lequel la constante diélectrique de la pellicule à faible constante diélectrique est inférieure à une valeur d’environ 4. Le procédé consiste à exposer la pellicule diélectrique à faible constante diélectrique à un rayonnement infrarouge (IR) et à un rayonnement ultraviolet (UV).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)