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1. (WO2009111388) DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES À NANOCRISTAUX INORGANIQUES EN COUCHES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/111388    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/035699
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 02.03.2009
CIB :
H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, California 94607 (US) (Tous Sauf US).
WADIA, Cyrus [US/US]; (US) (US Seulement).
WU, Yue [CN/US]; (US) (US Seulement).
ALIVISATOS, A. Paul [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WADIA, Cyrus; (US).
WU, Yue; (US).
ALIVISATOS, A. Paul; (US)
Mandataire : JEWIK, Patrick, R.; Townsend and Townsend and Crew LLP, Two Embarcadero Center, 8th Floor, San Francisco, California 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
61/033,369 03.03.2008 US
Titre (EN) LAYERED INORGANIC NANOCRYSTAL PHOTOVOLTAIC DEVICES
(FR) DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES À NANOCRISTAUX INORGANIQUES EN COUCHES
Abrégé : front page image
(EN)A non-sintered structure. The non-sintered structure includes a first non-sintered nanocrystal layer, and a second non-sintered nanocrystal layer wherein the first layer and the second layer are configured to interact electronically.
(FR)L'invention porte sur une structure non frittée. La structure non frittée comprend une première couche de nanocristaux non frittée, et une seconde couche de nanocristaux non frittée, la première couche et la seconde couche étant configurées pour interagir électroniquement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)