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1. (WO2009111340) CRISTALLISATION DE RECUIT PAR LAMPE FLASH POUR FILMS MINCES À LARGE SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/111340    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/035566
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 27.02.2009
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK [US/US]; 412 Low Memorial Liberary 535 West 116th Street New York, NY 10027 (US) (Tous Sauf US).
IM, James, S. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : IM, James, S.; (US)
Mandataire : SCOZZAFAVA, Mary, Rose; Wilmer Cutler Pickering Hale And Dorr LLP, 60 State Street, Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
61/032,784 29.02.2008 US
61/032,737 29.02.2008 US
Titre (EN) FLASH LAMP ANNEALING CRYSTALLIZATION FOR LARGE AREA THIN FILMS
(FR) CRISTALLISATION DE RECUIT PAR LAMPE FLASH POUR FILMS MINCES À LARGE SURFACE
Abrégé : front page image
(EN)The disclosed subject matter generally relates a method of irradiating a large area thin film with a pulsed light source. In some embodiments, the disclosed subject matter particularly relates to utilizing flash lamp annealing in combination with patterning techniques for making thin film devices. The flash lamp annealing can trigger lateral growth crystallization or explosive crystallization in large area thin films. In some embodiments, capping layers or proximity masks can be used in conjunction with the flash lamp annealing.
(FR)La présente invention concerne généralement un procédé d'irradiation d'un film mince à large surface avec une source de lumière pulsée. Dans certains modes de réalisation, l'invention concerne particulièrement l'utilisation du recuit par lampe flash en association avec des techniques de création de motifs pour fabriquer les dispositifs à film mince. Le recuit par lampe flash peut déclencher la cristallisation de croissance latérale ou la cristallisation explosive dans des films minces à surface large. Dans certains modes de réalisation, des couches de recouvrement ou des masques de proximité peuvent être utilisés en association avec le recuit par lampe flash.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)