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1. (WO2009111222) DISPOSITIFS SÉLECTIVEMENT CONDUCTEURS, CONSTRUCTIONS DE DIODES, PROCÉDÉS DE FORMATION DE CONSTRUCTIONS ET DE DIODES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/111222    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/035006
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 24.02.2009
CIB :
H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83716 (US) (Tous Sauf US).
MOULI, Chandra [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MOULI, Chandra; (US)
Mandataire : HOLDAWAY, Paul, S.; Wells St. John P.S., 601 W. 1st Ave, Suite 1300, Spokane, WA 99201 (US)
Données relatives à la priorité :
12/040,546 29.02.2008 US
Titre (EN) SELECTIVELY CONDUCTING DEVICES, DIODE CONSTRUCTIONS, CONSTRUCTIONS AND DIODE FORMING METHODS
(FR) DISPOSITIFS SÉLECTIVEMENT CONDUCTEURS, CONSTRUCTIONS DE DIODES, PROCÉDÉS DE FORMATION DE CONSTRUCTIONS ET DE DIODES
Abrégé : front page image
(EN)Some embodiments include selectively conducting devices having a first electrode, a second electrode, and dielectric material between the first and second electrodes. The dielectric material may be configured to conduct current from the first electrode to the second electrode when a first voltage is applied across the first electrode and the second electrode. Furthermore, the dielectric material may be configured to inhibit current from flowing from the second electrode to the first electrode when a second voltage having a polarity opposite that of a polarity of the first voltage is applied across the first electrode and the second electrode. The diode material may comprise a plurality of layers of different dielectric materials arranged in order of increasing barrier height. Quantum wells may form at junctions of layers of the plurality responsive to the first voltage. Some embodiments include diode forming methods.
(FR)Des modes de réalisation de l’invention comprennent des dispositifs sélectivement conducteurs comportant une première électrode, une seconde électrode, et du matériau diélectrique entre les première et seconde électrodes. Le matériau diélectrique peut être configuré pour conduire le courant de la première électrode vers la seconde électrode lorsqu’une première tension est appliquée entre la première électrode et la seconde électrode. En outre, le matériau diélectrique peut être configuré pour empêcher le courant de circuler de la seconde électrode vers la première électrode lorsqu’une deuxième tension dont la polarité est opposée à celle de la première tension est appliquée entre la première électrode et la seconde électrode. Le matériau de diode peut comprendre une pluralité de couches de différents matériaux diélectriques disposés afin d’augmenter la hauteur de l’écran. Des puits quantiques peuvent se former aux jonctions des couches de la pluralité en réponse à la première tension. Des modes de réalisation selon l’invention comprennent des procédés de formation de diodes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)