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1. (WO2009111209) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/111209    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/034954
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 24.02.2009
CIB :
H01L 21/337 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01)
Déposants : DSM SOLUTIONS, INC. [US/US]; 130 Knowles Drive, Suite D, Los Gatos, CA 95032 (US) (Tous Sauf US).
KNALL, Nils, J. [SE/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KNALL, Nils, J.; (US)
Mandataire : BHAVSAR, Samir, A.; Baker Botts L.L.P., 2001 Ross Avenue, Suite 600, Dallas, TX 75201 (US)
Données relatives à la priorité :
12/074,643 04.03.2008 US
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating a semiconductor device comprises forming a channel of a transistor, wherein the channel has a first conductivity type. The method further comprises depositing a layer of dielectric on at least a portion of the channel. The method further comprises etching a notch in the layer of dielectric wherein at least a portion of the notch is etched at least to the channel. The method also comprises doping the portion of the channel in the notch with material of a second conductivity type. The method further comprises filling the notch with polysilicon.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs, qui comprend la formation d'un canal d'un transistor, le canal ayant un premier type de conductivité. Le procédé comprend en outre le dépôt d'une couche de diélectrique sur au moins une partie du canal. Le procédé comprend en outre la gravure d'une encoche dans la couche de diélectrique, au moins une partie de l'encoche étant gravée au moins sur le canal. Le procédé comprend également le dopage de la partie du canal dans l'encoche avec un matériau d'un second type de conductivité. Le procédé comprend en outre le remplissage de l'encoche par du polysilicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)