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1. (WO2009111197) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE STRUCTURE À JONCTION À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/111197    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/034836
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 23.02.2009
CIB :
H01L 43/12 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: INTERNATIONAL IP ADMINISTRATION, 5775 Morehouse Drive, San Diego, California 92121 (US) (Tous Sauf US).
LI, Xia [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LI, Xia; (US)
Mandataire : TALPALATSKY, Sam; 5775 Morehouse Drive, San Diego, California 92121 (US)
Données relatives à la priorité :
12/041,957 04.03.2008 US
Titre (EN) METHOD OF FORMING A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE STRUCTURE À JONCTION À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)In a particular illustrative embodiment, a method of forming a magnetic tunnel junction (MTJ) device is disclosed that includes forming a trench (1514) in a substrate (1400). The method further includes depositing a magnetic tunnel junction (MTJ) structure (1516) within the trench. The MTJ structure includes a bottom electrode (1518), a fixed layer, a tunnel barrier layer, a free layer, and a top electrode (1522). The method also includes planarizing the MTJ structure. In a particular example, the MTJ structure is planarized using a Chemical Mechanical Planarization (CMP) process.
(FR)Dans un mode de réalisation illustratif particulier, l'invention porte sur un procédé consistant à former un dispositif à jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) qui comprend la formation d'une tranchée (1514) dans un substrat (1400). Le procédé comprend en outre le dépôt d'une structure à jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) (1516) à l'intérieur de la tranchée. La structure MTJ comprend une électrode inférieure (1518), une couche fixe, une couche barrière à effet tunnel, une couche libre et une électrode supérieure (1522). Le procédé comprend également la planarisation de la structure MTJ. Dans un exemple particulier, la structure MTJ est planarisée à l'aide d'un processus de planarisation chimico-mécanique (CMP).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)