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1. (WO2009111110) CIRCUIT INTÉGRÉ SPÉCIFIQUE À UNE APPLICATION COMPLÉMENTAIRE POUR DES LAMPES FLUORESCENTES COMPACTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2009/111110 N° de la demande internationale : PCT/US2009/031856
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 23.01.2009
CIB :
H05B 41/282 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H02M 7/538 (2007.01)
Déposants : NERONE, Louis, R.[US/US]; US (UsOnly)
GENERAL ELECTRIC COMPANY[US/US]; 1 River Road Schenectady, NY 12345, US (AllExceptUS)
Inventeurs : NERONE, Louis, R.; US
Mandataire : GNIBUS, Michael, M.; General Electric Company Global Patent Operation P.O. Box 861, 2 Corporate Drive, Suite 648 Shelton, CT 06484, US
Données relatives à la priorité :
12/044,15007.03.2008US
Titre (EN) COMPLIMENTARY APPLICATION SPECIFIC INTEGRATED CIRCUIT FOR COMPACT FLUORESCENT LAMPS
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ SPÉCIFIQUE À UNE APPLICATION COMPLÉMENTAIRE POUR DES LAMPES FLUORESCENTES COMPACTES
Abrégé : front page image
(EN) In a lighting ballast there are typically several discrete components that combine to take an external AC signal and convert it to a DC signal, and back to an AC signal for powering a lamp. Several of these components can be housed on an application specific integrated circuit. By placing switching transistors (20, 22) their companion diodes (34, 36), and a rectifying circuit (52) on a monolithic integrated circuit (60), the ballast circuit as a whole is made more reliable and robust and can be manufactured at a lower cost than if discrete components had been used.
(FR) L’invention porte sur un ballast d'éclairage dans lequel il y a typiquement plusieurs composants discrets qui se combinent pour prendre un signal en courant alternatif externe et le convertir en un signal en courant continu, et à nouveau en un signal en courant alternatif pour alimenter une lampe. Plusieurs de ces composants peuvent être reçus sur un circuit intégré spécifique à une application. Par le placement de transistors de commutation (20, 22), leurs diodes associées (34, 36) et un circuit de redressement (52) sur un circuit intégré monolithique (60), le circuit de ballast est globalement rendu plus fiable et plus robuste et peut être fabriqué à un coût inférieur que si des composants discrets avaient été utilisés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)