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1. (WO2009111052) CHAUFFAGE POUR DÉPÔT DE COUCHE TAMPON
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/111052    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/001427
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 04.03.2009
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/283 (2006.01)
Déposants : GLOBAL SOLAR ENERGY, INC. [US/US]; 8500 S. Rita Road Tucson, AZ 85747 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : BRITT, Jeffrey, S.; (US).
ALBRIGHT, Scot; (US).
SCHOOP, Urs; (US)
Mandataire : KOLITCH, Shawn, J.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/068,451 05.03.2008 US
Titre (EN) HEATING FOR BUFFER LAYER DEPOSITION
(FR) CHAUFFAGE POUR DÉPÔT DE COUCHE TAMPON
Abrégé : front page image
(EN)Improved methods and apparatus for forming thin film buffer layers of chalcogenide on a substrate web through the chemical combination of a metal and chalcogen in solution form. The web and/or the solutions may be heated by one or a plurality of heating elements that may be disposed out of physical contact with the web, allowing enhanced control over the reaction speed through fine temperature control. One or more properties of the chalcogenide layer may be measured, and the temperature of the system may be adjusted in response.
(FR)L'invention concerne des procédés et un appareil améliorés permettant de former des couches tampon de chalcogénure à film mince sur une bande substrat par combinaison chimique d'un métal et d'un chalcogène sous forme de solution. La bande et/ou les solutions peuvent être chauffées par un ou plusieurs éléments chauffants pouvant être disposés sans contact physique avec la bande, permettant d'améliorer le réglage de la vitesse de réaction par un réglage précis de la température. Une ou plusieurs propriétés de la couche de chalcogénure peuvent être mesurées et la température du système peut être réglée en réponse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)