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1. (WO2009110630) SYSTÈME DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/110630    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/054375
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 03.03.2009
CIB :
G06F 12/02 (2006.01), G06F 12/00 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058001 (JP) (Tous Sauf US).
NAGADOMI, Yasushi [JP/JP]; (US Seulement).
TAKASHIMA, Daisaburo [JP/JP]; (US Seulement).
HATSUDA, Kosuke [JP/JP]; (US Seulement)
Inventeurs : NAGADOMI, Yasushi; .
TAKASHIMA, Daisaburo; .
HATSUDA, Kosuke;
Mandataire : SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 1-12-9, Toranomon, Minato-ku Tokyo, 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-058549 07.03.2008 JP
Titre (EN) MEMORY SYSTEM
(FR) SYSTÈME DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)A memory system (10) is disclosed, which comprises a flash-EEPROM nonvolatile memory (11) having a plurality of memory cells that have floating gates and in which data items are electrically erasable and writable, a cache memory (13) that temporarily stores data of the flash-EEPROM nonvolatile memory (11), a control circuit (12, 14) that controls the flash-EEPROM nonvolatile memory (11) and the cache memory (13), and an interface circuit (16) that communicates with a host, in which the control circuit functions to read data from a desired target area to-be-determined of the flash-EEPROM nonvolatile memory and detect an erased area to determine a written area/unwritten area by using as a determination condition whether or not a count number of data '0' of the read data has reached a preset criterion count number.
(FR)L'invention porte sur un système de mémoire (10), qui inclut une mémoire non volatile flash-EEPROM (11) possédant une pluralité de cellules mémoires qui possèdent des grilles flottantes et dans laquelle des éléments de données sont électriquement effaçables et inscriptibles, une mémoire cache (13) qui stocke de façon temporaire des données de la mémoire non volatile flash-EEPROM (11), un circuit de commande (12, 14) qui commande la mémoire non volatile flash-EEPROM (11) et la mémoire cache (13), et un circuit d'interface (16) qui communique avec un hôte, le circuit de commande fonctionnant pour lire des données à partir d'une zone cible désirée devant être déterminée de la mémoire non volatile flash-EEPROM et détectant une zone effacée pour déterminer une zone écrite/non écrite à l'aide d'une condition de détermination du point de savoir si un nombre total de données « 0 » des données de lecture a atteint ou non un nombre total de critères préréglés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)