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1. (WO2009110608) PROCESSUS DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET APPAREIL DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/110608    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/054327
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 06.03.2009
CIB :
H01L 43/12 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01F 10/32 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 2-5-1 Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa, 2158550 (JP) (Tous Sauf US).
CHOI, Young-suk [KR/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : CHOI, Young-suk; (JP)
Mandataire : OHTSUKA, Yasunori; 7th FL., KIOICHO PARK BLDG., 3-6, KIOICHO, CHIYODA-KU, Tokyo 1020094 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-058404 07.03.2008 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND APPARATUS FOR PRODUCING MAGNETORESISTIVE ELEMENT
(FR) PROCESSUS DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET APPAREIL DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF
(JA) 磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子の製造装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a process for producing a magnetoresistive element comprising a tunnel barrier forming step. The tunnel barrier forming step comprises a metal layer forming step of forming a metal layer to a first thickness, a plasma treatment step of performing plasma treatment, in which the metal layer is exposed to a plasma of an inert gas to etch the metal layer to a second thickness which is smaller than the first thickness, and an oxidizing step of oxidizing the metal layer subjected to the plasma treatment to form a metal oxide that constitutes a tunnel barrier.
(FR)L'invention concerne un processus de production d'un élément magnétorésistif comprenant une étape de formation d'écran de tunnel. L'étape de formation d'écran de tunnel consiste en une étape de formation d'une couche métallique d'une première épaisseur, une étape de traitement plasma dans laquelle la couche métallique est exposée à un plasma de gaz inerte pour graver la couche métallique à une seconde épaisseur inférieure à la première épaisseur, et une étape d'oxydation de la couche métallique soumise au traitement plasma pour former un oxyde métallique qui constitue un écran de tunnel.
(JA) 磁気抵抗素子の製造方法は、金属層を第1の厚さに形成する金属層形成ステップと、金属層を不活性ガスのプラズマに晒し、前記第1の厚さよりも小さい第2の厚さにエッチングするプラズマトリートメントを実行するプラズマ処理ステップと、前記プラズマトリートメントを施した金属層を酸化し、トンネルバリアを構成する金属酸化物を形成する酸化ステップと、を有するトンネルバリア形成ステップを有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)