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1. (WO2009110582) COMPOSITION D'AGENT DE TRAITEMENT DE SURFACE DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ POUR TRAITER UNE SURFACE DE SEMI-CONDUCTEUR À L'AIDE DE LA COMPOSITION D'AGENT DE TRAITEMENT DE SURFACE DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/110582    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/054248
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 06.03.2009
CIB :
G03F 7/42 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 1-2, Doshomachi 3-chome, Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5408605 (JP) (Tous Sauf US).
MIZUTA, Hironori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUDA, Osamu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIZUTA, Hironori; (JP).
MATSUDA, Osamu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-058816 07.03.2008 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR SURFACE TREATING AGENT COMPOSITION AND METHOD FOR TREATING SEMICONDUCTOR SURFACE USING THE SEMICONDUCTOR SURFACE TREATING AGENT COMPOSITION
(FR) COMPOSITION D'AGENT DE TRAITEMENT DE SURFACE DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ POUR TRAITER UNE SURFACE DE SEMI-CONDUCTEUR À L'AIDE DE LA COMPOSITION D'AGENT DE TRAITEMENT DE SURFACE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体表面用処理剤組成物及びそれを用いた半導体表面の処理方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a semiconductor surface treating agent composition, which can realize easy separation of an antireflection film layer in a production process of a semiconductor element or the like at a low temperature in a short time, and a method for treating a semiconductor surface using the semiconductor surface treating agent composition. The semiconductor surface treating agent composition can realize the separation of both an antireflection film layer and a resist layer and, at the same time, can realize the separation of a resist cured layer produced in an etching process. The semiconductor surface treating agent composition is characterized by comprising a compound, which generates fluorine ions in water, a carbon radical generating agent, and water and optionally an organic solvent. The method for treating a semiconductor surface is characterized by using the composition.
(FR)L'invention porte sur une composition d'agent de traitement de surface de semi-conducteur, qui permet de réaliser une séparation aisée d'une couche de fibre antireflet dans un procédé de production d'un élément semi-conducteur ou analogue, à une température basse et en un temps court, et sur un procédé pour traiter une surface de semi-conducteur à l'aide de la composition d'agent de traitement de surface de semi-conducteur. La composition d'agent de traitement de surface de semi-conducteur permet la séparation à la fois d'une couche de film antireflet et d'une couche de résist et, en même temps, permet la séparation d'une couche durcie de résist produite lors d'un traitement de gravure. La composition d'agent de traitement de surface de semi-conducteur est caractérisée par le fait qu'elle comprend un composé, qui génère des ions fluor dans l'eau, un agent de génération de radical carbone et de l'eau, et, facultativement, un solvant organique. Le procédé pour traiter une surface de semi-conducteur est caractérisé par l'utilisation de la composition.
(JA) 半導体素子等の製造工程における反射防止膜層を、低温かつ短時間で容易に剥離することができる半導体表面用処理剤組成物及びそれを用いた半導体表面の処理方法、更には、反射防止膜層及びレジスト層の両層の剥離を可能にするばかりでなく、エッチング工程の際に生ずるレジスト硬化層の剥離をも可能にする半導体表面用処理剤組成物及びそれを用いた半導体表面の処理方法を提供することを目的とし、本発明は、水中でフッ素イオンを発生する化合物、炭素ラジカル発生剤及び水とを含有し、要すれば、更に有機溶剤を含有することを特徴とする半導体表面用処理剤組成物及び当該組成物を用いることを特徴とする半導体表面の処理方法に関する発明である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)