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1. (WO2009110537) SYSTÈME MIXTE MRAM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/110537    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/054137
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 05.03.2009
CIB :
H01L 21/8246 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku Tokyo, 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
FUKAMI, Shunsuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIWATA, Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI, Tetsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHSHIMA, Norikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGAHARA, Kiyokazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUKAMI, Shunsuke; (JP).
ISHIWATA, Nobuyuki; (JP).
SUZUKI, Tetsuhiro; (JP).
OHSHIMA, Norikazu; (JP).
NAGAHARA, Kiyokazu; (JP)
Mandataire : KUDOH, Minoru; 6F, KADOYA BLDG., 24-10, Minamiooi 6-chome, Shinagawa-ku Tokyo 1400013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-058792 07.03.2008 JP
Titre (EN) MRAM MIXED SYSTEM
(FR) SYSTÈME MIXTE MRAM
(JA) MRAM混載システム
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device comprises a first magnetic random access memory having a first memory cell (9) and a second magnetic random access memory provided in the same chip as the first magnetic random access memory and having a second memory cell (8) operating at a higher speed than that of the first memory cell (9). The first memory cell (9) constitutes a spin-polarized current write type MRAM. Spin-polarized current is injected into a ferromagnetic conductor of a magnetoresistive effect element and a direct interaction between the spin of a conduction electron contributing to the current and the magnetic moment of the conductor causes a magnetization reversal, based on which data is stored. Write current flows through at least a magnetic free layer. The second memory cell (8) constitutes a current-induced magnetic field write type MRAM. Data is stored based on the magnetic field induced by a write current.
(FR)Le dispositif semi-conducteur selon l'invention comprend une première mémoire vive magnétique qui comporte une première cellule mémoire (9) et une deuxième mémoire vive magnétique contenue dans la même puce que la première mémoire vive magnétique et qui comporte une deuxième cellule mémoire (8) qui fonctionne à une vitesse supérieure à celle de la première cellule mémoire (9). La première cellule mémoire (9) constitue une MRAM de type à écriture par courant polarisé par spin. Un courant polarisé par spin est injecté dans un conducteur ferromagnétique d'un élément à effet magnétorésistif et une interaction directe entre le spin d'un électron de conduction contribuant au courant et le moment magnétique du conducteur entraîne une inversion de la magnétisation, en fonction de laquelle les données sont enregistrées. Le courant d'écriture circule à travers au moins une couche non magnétique. La seconde cellule mémoire (8) constitue une MRAM de type à écriture par champ magnétique induit par courant. Les données sont enregistrées en fonction du champ magnétique induit par un courant d'écriture.
(JA) 半導体装置は、第1メモリセル9を有する第1磁気ランダムアクセスメモリと、第1メモリセル9と比較して高速で動作する第2メモリセル8を有し、前記第1磁気ランダムアクセスメモリと同一チップ内に設けられた第2磁気ランダムアクセスメモリとを具備する。第1メモリセル9は、スピン偏極電流書き込み型のMRAMである。磁気抵抗効果素子の強磁性導体にスピン偏極電流が注入され、その電流を担う伝導電子のスピンと導体の磁気モーメントとの間の直接相互作用によって反転する磁化に基づいてデータを記憶する。書き込み電流は、少なくとも磁化自由層を流れる。第2メモリセル8は、電流誘起磁界書き込み型のMRAMである。書き込み電流で誘起される磁界に基づいてデータを記憶する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)