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1. (WO2009110463) SPECTROSCOPIE D'UN ULTRAVIOLET LOINTAIN DE TYPE À ATTÉNUATION DE RÉFLEXION TOTALE ET DISPOSITIF DE MESURE DE CONCENTRATION UTILISANT LA SPECTROSCOPIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/110463    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/053957
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 03.03.2009
CIB :
G01N 21/27 (2006.01), G01N 21/33 (2006.01)
Déposants : KURASHIKI BOSEKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 7-1, Hommachi, Kurashiki-shi, Okayama, 7100054 (JP) (Tous Sauf US).
HIGASHI, Noboru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KARIYAMA, Naomi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IKEHATA, Akifumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HIGASHI, Noboru; (JP).
KARIYAMA, Naomi; (JP).
IKEHATA, Akifumi; (JP)
Mandataire : TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka, 5400001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-053527 04.03.2008 JP
Titre (EN) TOTAL REFLECTION ATTENUATION TYPE FAR-ULTRAVIOLET SPECTROSCOPY AND CONCENTRATION MEASUREMENT DEVICE USING THE SPECTROSCOPY
(FR) SPECTROSCOPIE D'UN ULTRAVIOLET LOINTAIN DE TYPE À ATTÉNUATION DE RÉFLEXION TOTALE ET DISPOSITIF DE MESURE DE CONCENTRATION UTILISANT LA SPECTROSCOPIE
(JA) 全反射減衰型遠紫外分光法およびそれを用いた濃度測定装置
Abrégé : front page image
(EN)A total reflection attenuation type far-ultraviolet spectroscopy measures total reflection light by setting a depth to which an evanescent wave of the total reflection light dives not less than 150nm in a range of a measurement wavelength of a far-ultraviolet light region, wherein the dive depth is determined by a wavelength of the far-ultraviolet light, a refraction index of the measurement subject, a refraction index of an optical material of a total reflection attenuation probe, and an angle of the ultraviolet light incident on an interface between the probe and the measurement subject. Here, the total reflection attenuation probe made of an optical material with a refraction index selected to make the dive depth not less than 150nm is used, the measurement subject is kept in contact with the interface with the total reflection attenuation probe, the far-ultraviolet light is made incident on the interface at an incident angle not less than the critical angle and in the range of the measurement wavelength so that the dive depth becomes not less than 150nm, total reflection light from the interface is measured to obtain absorption of light of the measurement subject.
(FR)Une spectroscopie d'un ultraviolet lointain de type à atténuation de réflexion totale mesure une lumière de réflexion totale par configuration d'une profondeur à laquelle une onde évanescente de la lumière de réflexion totale plonge à pas moins de 150 nm dans une plage de longueur d'onde de mesure de la région de lumière de l'ultraviolet lointain, la profondeur de plongée étant déterminée par une longueur d'onde de la lumière de l'ultraviolet lointain, un indice de réfraction de l'objet de mesure, un indice de réfraction d'un matériau optique d'une sonde à atténuation de réflexion totale, et un angle de la lumière ultraviolette incidente sur une interface entre la sonde et l'objet de mesure. Ici, la sonde à atténuation de réflexion totale constituée d'un matériau optique avec un indice de réfraction sélectionné pour rendre la profondeur de plongée non inférieure à 150 nm est utilisée, l'objet de mesure est maintenu en contact avec l'interface avec la sonde à atténuation de réflexion totale, la lumière de l'ultraviolet lointain est rendue incidente sur l'interface à un angle d'incidence de pas moins de l'angle critique et dans la plage de la longueur d'onde de mesure de telle sorte que la profondeur de plongée devient non inférieure à 150 nm, une lumière de réflexion totale provenant de l'interface est mesurée pour obtenir une absorption de lumière l'objet de mesure.
(JA) 全反射減衰型遠紫外分光において、遠紫外光の波長、測定対象の屈折率、全反射減衰プローブの光学材質の屈折率、プローブと測定対象との界面への紫外光の入射角により定められる、全反射光のエバネッセント波の潜り込み深さを遠紫外域の測定波長範囲で150nm以上として全反射光を測定する。ここで、潜り込み深さが150nm以上になるように選択された屈折率を有する光学材質で作成した全反射減衰プローブを用い、全反射減衰プローブの界面に測定対象を接触させ、遠紫外光を、潜り込み深さが150nm以上となる、臨界角以上の入射角および測定波長範囲で界面に入射し、界面からの全反射光を測定して、測定対象の吸光度を求める。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)