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1. (WO2009110404) APPAREIL DE PULVÉRISATION À AIMANT ROTATIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/110404    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/053815
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 02.03.2009
CIB :
C23C 14/35 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi, 9808577 (JP) (Tous Sauf US).
TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo, 1076325 (JP) (Tous Sauf US).
OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
GOTO, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUOKA, Takaaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHMI, Tadahiro; (JP).
GOTO, Tetsuya; (JP).
MATSUOKA, Takaaki; (JP)
Mandataire : IKEDA, Noriyasu; Hibiya Daibiru Bldg., 2-2, Uchisaiwaicho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-052936 04.03.2008 JP
Titre (EN) ROTATING MAGNET SPUTTERING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE PULVÉRISATION À AIMANT ROTATIF
(JA) 回転マグネットスパッタ装置
Abrégé : front page image
(EN)A rotating magnet sputtering apparatus is provided with a plasma blocking member and an outer wall connected to the ground, and the apparatus has a serial resonance circuit and a parallel resonance circuit between the plasma blocking member and the outer wall. The serial resonance circuit has extremely low impedance only with a resonance frequency, and the parallel resonance circuit has extremely high impedance only with the resonance frequency. With such structure, impedance between substrate RF power and the plasma blocking member becomes extremely high, and generation of plasma between a substrate (10) to be processed and the plasma blocking member can be suppressed. Since the serial resonance circuit is arranged between a target and the ground, the RF power is efficiently supplied only to a region where the substrate passes below the target, and a self-bias voltage is generated.
(FR)L'invention concerne un appareil de pulvérisation à aimant rotatif comprenant un élément de blocage de plasma et une paroi extérieure connectée au sol, ainsi qu'un circuit de résonance en série et un circuit de résonance parallèle entre l'élément de blocage de plasma et la paroi extérieure. Le circuit de résonance en série ne présente une impédance extrêmement faible qu'avec une fréquence de résonance et le circuit de résonance parallèle ne présente une impédance élevée seulement qu'avec la fréquence de résonance. Avec une telle structure, l'impédance entre la puissance RF du substrat et l'élément de blocage de plasma devient extrêmement élevée et la génération de plasma entre un substrat (10) à traiter et l'élément de blocage de plasma peut être supprimée. Le circuit de résonance en série étant disposé entre une cible et le sol, la puissance RF n'est efficacement distribuée qu'à une zone où le substrat passe sous la cible, et une tension d'autopolarisation est générée.
(JA) プラズマ遮蔽部材とグランドに接続された外壁とを備え、プラズマ遮蔽部材と外壁間に、直列共振回路、及び、並列共振回路を有する回転マグネットスパッタ装置が得られる。直列共振回路は、共振周波数においてのみ非常に低いインピーダンスを有し、並列共振回路は、共振周波数においてのみ非常に高いインピーダンスを有する。このような構造とすることにより、基板RF電力とプラズマ遮蔽部材との間のインピーダンスが非常に高くなり、被処理基板10とプラズマ遮蔽部材との間でのプラズマ発生を抑制することができる。また、ターゲットとグランドとの間は、直列共振回路が設けられているため、被処理基板がターゲットの下を通過する領域のみに効率よくRF電力が供給され、セルフバイアス電圧が発生する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)