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1. (WO2009110394) MATRICE LASER ÉMETTRICE EN SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/110394    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/053789
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 24.02.2009
CIB :
H01S 5/42 (2006.01)
Déposants : CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo, 1468501 (JP) (Tous Sauf US).
IKUTA, Mitsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IKUTA, Mitsuhiro; (JP)
Mandataire : OKABE, Masao; No. 602, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-054867 05.03.2008 JP
Titre (EN) SURFACE EMITTING LASER ARRAY
(FR) MATRICE LASER ÉMETTRICE EN SURFACE
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a surface emitting laser array using a photonic crystal, which allows an active layer to be shared without disconnecting the active layer between the individual surface emitting lasers adjacent to each other, and enables high-density arraying easily. The surface emitting laser array includes: at least two surface emitting lasers formed on a substrate, each having a laminated structure of multiple semiconductor layers including a semiconductor multilayer mirror, an active layer, and a photonic crystal having a refractive index profile in an in-plane direction, the photonic crystal and the semiconductor multilayer mirror in the laminated structure forming a waveguide for guiding light in a resonance mode; and a region without the photonic crystal provided between adjacent surface emitting lasers in the surface emitting laser array, in which the surface emitting lasers have the same semiconductor multilayer mirror and the same active layer.
(FR)L'invention concerne une matrice laser émettrice en surface utilisant un cristal photonique, qui permet de partager une couche active sans déconnecter la couche active entre les lasers émetteurs en surface individuels adjacents l'un à l'autre, et facilite une répartition à haute densité. La matrice laser émettrice en surface comprend : au moins deux lasers émetteurs en surface disposés sur un substrat, chacun comportant une structure stratifiée de couches semi-conductrices multiples comprenant un miroir semi-conducteur multicouche, une couche active, et un cristal photonique ayant un profil d'indice de réfraction dans une direction dans le plan, le cristal photonique et le miroir semi-conducteur multicouche dans la structure stratifiée formant un guide d'onde servant à guider la lumière dans un mode de résonance ; et une zone sans cristal photonique inséré entre les lasers émetteurs en surface adjacents dans la matrice laser émettrice en surface, dans laquelle les lasers émetteurs en surface ont le même miroir semi-conducteur multicouche et la même couche active.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)