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1. (WO2009110095) MATÉRIAU CONDUCTEUR, PÂTE CONDUCTRICE, CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/110095    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/054162
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 07.03.2008
CIB :
H01B 5/00 (2006.01), H01B 1/22 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa, 2118588 (JP) (Tous Sauf US).
SAKUYAMA, Seiki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAI, Taiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAKUYAMA, Seiki; (JP).
SAKAI, Taiji; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku, Tokyo, 1506032 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) CONDUCTIVE MATERIAL, CONDUCTIVE PASTE, CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) MATÉRIAU CONDUCTEUR, PÂTE CONDUCTRICE, CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 導電材料、導電ペースト、回路基板、及び半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a conductive material (10) having a first metal portion (11) mainly containing a first metal, a second metal portion (12) formed on the surface of the first metal portion and mainly containing a second metal which has a melting point lower than that of the first metal and is capable of forming an intermetallic compound with the first metal, and a third metal portion (13) mainly containing a third metal which is capable of having an eutectic reaction with the second metal.
(FR)L'invention concerne un matériau conducteur (10) ayant une première partie métallique (11) contenant principalement un premier métal, une deuxième partie métallique (12) formée sur la surface de la première partie métallique et contenant principalement un deuxième métal dont le point de fusion est inférieur à celui du premier métal et qui est capable de former un composé intermétallique avec le premier métal, et une troisième partie métallique (13) contenant principalement un troisième métal qui est capable d'avoir une réaction eutectique avec le deuxième métal.
(JA) 導電材料10は、第1の金属を主成分とする第1金属部11と、前記第1の金属の融点よりも低い融点を有し、前記第1の金属と金属間化合物を形成し得る第2の金属を主成分とし、前記第1金属部の表面に形成された第2金属部12と、前記第2の金属と共晶反応を生じ得る第3の金属を主成分とする第3金属部13と、を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)