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1. (WO2009110040) DISPOSITIF DE MÉMOIRE, SYSTÈME DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE RÉGLAGE DE CHRONOLOGIE D'ACCÈS DANS UN SYSTÈME DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/110040    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/002296
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 25.08.2008
CIB :
G06F 12/00 (2006.01), G11C 11/401 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka, 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
TAKAI, Yuji; (US Seulement)
Inventeurs : TAKAI, Yuji;
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka, 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-057876 07.03.2008 JP
Titre (EN) MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND ACCESS TIMING ADJUSTING METHOD IN MEMORY SYSTEM
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE, SYSTÈME DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE RÉGLAGE DE CHRONOLOGIE D'ACCÈS DANS UN SYSTÈME DE MÉMOIRE
(JA) メモリデバイス及びメモリシステム並びにメモリシステムにおけるアクセスタイミング調整方法
Abrégé : front page image
(EN)A memory device (103) comprises a memory device control unit (140), a delay adjustment storage unit (170) for storing timing adjustment data that is data read by values of both “0” and “1” at the rise and fall of a strobe signal, memory cells (174), and a selector (172) for switching a connection to the delay adjustment storage unit or the memory cells. A memory interface (102) reads timing adjustment data stored in the delay adjustment storage unit (170) while changing timing and searches a readable timing range, from which a read timing is selected and set.
(FR)Un dispositif de mémoire (103) comprend une unité de commande de dispositif de mémoire (140), une unité de stockage de réglage de retard (170) pour stocker des données de réglage de chronologie, à savoir des données lues par des valeurs correspondant à la fois à « 0 » et à « 1 » à la montée et à la descente d'un signal stroboscopique, des cellules de mémoire (174), et un sélecteur (172) pour commuter une connexion vers l'unité de stockage de réglage de retard ou les cellules de mémoire. Une interface de mémoire (102) lit les données de réglage de chronologie stockées dans l'unité de stockage de réglage de retard (170) tout en changeant la chronologie et cherche une plage de chronologies lisible, pour laquelle une chronologie de lecture est sélectionnée et fixée.
(JA) メモリデバイス(103)は、メモリデバイス制御部(140)と、ストローブ信号の立ち上がり及び立ち下がりで、0及び1の両方の値で読み取られるデータであるタイミング調整用データを記憶する遅延調整用記憶部(170)と、メモリセル(174)と、遅延調整用記憶部とメモリセルとのどちらかに接続を切り替えるセレクタ(172)とを具備する。メモリインターフェース(102)は、遅延調整用記憶部(170)のタイミング調整用データを、タイミングを変えながらリードして、リード可能なタイミング範囲を探索し、このタイミング範囲からリードタイミングを選択設定する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)