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1. (WO2009109939) PROCÉDÉ DESTINÉ A LA SYNTHÈSE D'UN RÉSEAU DE NANOFILS MÉTALLIQUES CAPABLES DE SUPPORTER DES RÉSONANCES PLASMONIQUES LOCALISÉES ET DISPOSITIF PHOTONIQUE COMPRENANT LEDIT RÉSEAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/109939    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/050921
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 06.03.2009
CIB :
H01L 33/00 (2006.01), H01L 21/263 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITA' DEGLI STUDI DI GENOVA [IT/IT]; Via Balbi 5, I-16126 Genova (IT) (Tous Sauf US).
BUATIER DE MONGEOT, Francesco [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
BORAGNO, Corrado [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
VALBUSA, Ugo [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
CHIAPPE, Daniele [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
TOMA, Andrea [IT/IT]; (IT) (US Seulement)
Inventeurs : BUATIER DE MONGEOT, Francesco; (IT).
BORAGNO, Corrado; (IT).
VALBUSA, Ugo; (IT).
CHIAPPE, Daniele; (IT).
TOMA, Andrea; (IT)
Mandataire : DEAMBROGI, Edgardo; Corso Emilia 8, I-10152 Torino (IT)
Données relatives à la priorité :
TO2008A000175 07.03.2008 IT
TO2008A000986 24.12.2008 IT
Titre (EN) METHOD FOR THE SYNTHESIS OF AN ARRAY OF METAL NANOWIRES CAPABLE OF SUPPORTING LOCALIZED PLASMON RESONANCES AND PHOTONIC DEVICE COMPRISING SAID ARRAY
(FR) PROCÉDÉ DESTINÉ A LA SYNTHÈSE D'UN RÉSEAU DE NANOFILS MÉTALLIQUES CAPABLES DE SUPPORTER DES RÉSONANCES PLASMONIQUES LOCALISÉES ET DISPOSITIF PHOTONIQUE COMPRENANT LEDIT RÉSEAU
Abrégé : front page image
(EN)Method for the synthesis of an array of metal nanowires (w) capable of supporting localized plasmon resonances, wherein a metal film (M) deposited on a planar substrate (D) is irradiated with a defocused beam of noble gas ions (IB) under high vacuum, so that, with increasing ion doses: a corrugation is produced on the metal film surface, formed by a plurality of mutually parallel nanoscale self-organized corrugations (r); subsequently, the height of the self-organized corrugations peaks is increased relative to the valleys (t) interposed therebetween; then, the whole the metal film is eroded so as to expose the substrate at the valleys, and to mutually disconnect the self-organized corrugations, thereby generating said array of metal nanowires; and finally, the transversal cross-section of the nanowires is reduced in a controlled manner so as to adjust the localized plasmon resonances wavelength which can be associated thereto. The nanowires array constitutes an electrode of an improved photonic device.
(FR)Procédé destiné à la synthèse d'un réseau de nanofils métalliques (w) capables de supporter des résonances plasmoniques localisées, un film métallique (M) déposé sur un substrat plan (D) étant irradié avec un faisceau défocalisé d'ions de gaz rares (IB) sous vide poussé, de sorte qu'avec des doses d'ions croissantes, une cannelure soit produite à la surface du film métallique, la cannelure étant formée par une pluralité de cannelures (r) auto-organisées à l'échelle nanométrique et mutuellement parallèles. Par conséquent, la hauteur des pics de cannelures auto-organisées augmente par rapport aux creux (t) interposés entre ceux-ci ; ensuite, l'ensemble du film métallique s'érode de sorte à exposer le substrat au niveau des creux, et à déconnecter mutuellement les cannelures auto-organisées, générant ainsi ledit réseau de nanofils métalliques. Finalement, la section transversale des nanofils est réduite de manière contrôlée de manière à ajuster la longueur d'onde des résonances plasmoniques localisées qui peut être associée à ceux-ci. Le réseau de nanofils constitue une électrode d'un dispositif photonique amélioré.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : italien (IT)