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1. (WO2009109934) REMPLISSAGE DE CUIVRE EXEMPT DE VIDE POUR DES PARTIES CREUSES, AU MOYEN D'UNE COUCHE DE GERME DE CUIVRE NON AGGLOMÉRÉ LISSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/109934    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/050910
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 05.03.2009
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower, 3-1 Akasaka 5-chome, Tokyo 107-6325 (JP) (Tous Sauf US).
SUZUKI, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
GOMI, Atsushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
JOMEN, Miho [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUZUKI, Kenji; (JP).
GOMI, Atsushi; (JP).
JOMEN, Miho; (JP)
Données relatives à la priorité :
12/044,191 07.03.2008 US
Titre (EN) VOID-FREE COPPER FILLING OF RECESSED FEATURES USING A SMOOTH NON-AGGLOMERATED COPPER SEED LAYER
(FR) REMPLISSAGE DE CUIVRE EXEMPT DE VIDE POUR DES PARTIES CREUSES, AU MOYEN D'UNE COUCHE DE GERME DE CUIVRE NON AGGLOMÉRÉ LISSE
Abrégé : front page image
(EN)A method is provided for controlling copper agglomeration on a substrate and for forming void-free bulk copper metal filling of recessed features in integrated circuits. In one embodiment, the method includes providing a substrate having a topography including a top surface and at least one recessed feature comprising at least a sidewall surface and a bottom surface, depositing a barrier film on the substrate topography, and depositing a metal-containing wetting film on the barrier film. The method further includes physical vapor depositing copper metal on the metal- containing wetting film, where the substrate temperature is sufficiently high to form a smooth copper metal seed layer on the metal-containing wetting film. Void-free bulk copper metal may be plated in the at least one recessed feature.
(FR)La présente invention a trait à un procédé permettant de contrôler l'agglomération de cuivre sur un substrat et permettant de former un remplissage métallique de cuivre exempt de vide en vrac pour des parties creuses de circuits intégrés. Selon un mode de réalisation, le procédé consiste à fournir un substrat doté d'une topographie incluant une surface supérieure et au moins une partie creuse comprenant au moins une surface latérale et une surface inférieure, déposer un film d'arrêt sur la topographie du substrat et déposer un film de mouillage contenant du métal sur le film d'arrêt. Le procédé comprend de plus le dépôt physique en phase gazeuse de métal de cuivre sur le film de mouillage contenant du métal, la température du substrat étant suffisamment élevée pour former une couche de germe de métal de cuivre lisse sur le film de mouillage contenant du métal. Du métal de cuivre en vrac exempt de vide peut être plaqué dans la ou les parties creuses.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)