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1. (WO2009109507) DISPOSITIF D'ACQUISITION DE GRANDEURS DE MESURE ET INSTALLATION HAUTE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/109507    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/052265
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 26.02.2009
CIB :
G01D 5/12 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 80333 München (DE) (Tous Sauf US).
KOCH, Hermann [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KOCH, Hermann; (DE)
Représentant
commun :
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34 80506 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2008 013 341.8 06.03.2008 DE
Titre (DE) VORRICHTUNG ZUM ERFASSEN VON MESSGRÖSSEN UND HOCHSPANNUNGSANLAGE
(EN) DEVICE FOR CAPTURING MEASUREMENT VARIABLES AND HIGH-VOLTAGE SYSTEM
(FR) DISPOSITIF D'ACQUISITION DE GRANDEURS DE MESURE ET INSTALLATION HAUTE TENSION
Abrégé : front page image
(DE)Gegenstand der Erfindung ist eine Vorrichtung (20) zum Erfassen von Messgrößen eines Leiters einer Hochspannungsanlage mit mindestens einem Sensor (22) und eine Hochspannungsanlage mit einem Leiter und einem von dem Leiter zumindest teilweise beabstandeten und den Leiter umschließenden Gehäuse. Dadurch, dass der Sensor ein Nano- oder Mikrosensor (22) ist und der mindestens eine Sensor auf einem Halbleitersubstrat (21) angeordnet ist, kann der Sensor besonders klein ausgebildet werden, was zum einen Verbesserungen bei der Anbringung des Sensors in Leiternähe mit sich bringt und zum anderen weit weniger Kosten verursacht, da die Sensoren nicht länger groß und mit hohen Materialkosten verbunden ausgebildet werden müssen.
(EN)The invention relates to a device for capturing measurement variables of a conductor of a high-voltage system, comprising at least one sensor and a high-voltage system comprising a conductor and a housing that is arranged, at least partially, at a distance from the conductor and surrounds the conductor. The aim of the invention is to provide a device for capturing measurement variables of a conductor of a high-voltage system, comprising at least one sensor, which does not have the above-mentioned disadvantages during measurement of the respective measurement variables. Said aim is achieved by a device for capturing measurement variables having the characteristics of claim 1. Further advantages are disclosed in the lower claims. As a result, the sensor is a nanosensor or a microsensor and the at least one sensor is arranged on a semi-conductor substrate and said sensor can be particularly small enabling the sensor to be placed close to the conductor in an improved manner and also reducing costs as the sensors do no longer have to be long and material costs are reduced.
(FR)L'invention concerne un dispositif destiné à acquérir des grandeurs de mesure d'un conducteur d'une installation haute tension, lequel dispositif comprend au moins un capteur, et une installation haute tension pourvue d'un conducteur et d'une enveloppe entourant ledit conducteur, située au moins partiellement à une certaine distance de ce dernier. L'objectif de l'invention est de réaliser un dispositif destiné à acquérir des grandeurs de mesure d'un conducteur d'une installation haute tension, lequel dispositif comprend au moins un capteur ne présentant pas les inconvénients susmentionnés lors de la mesure de la grandeur respective. Cet objectif est atteint au moyen d'un dispositif d'acquisition de grandeurs de mesure présentant les caractéristiques de la revendication 1. Des développements avantageux sont mis en oeuvre dans les revendications suivantes. Le capteur est un nano ou microcapteur et ledit au moins un capteur est placé sur un substrat semi-conducteur. De ce fait, le capteur peut être particulièrement petit, ce qui, d'une part, constitue une amélioration permettant le montage de ce capteur dans le voisinage du conducteur et, d'autre part, occasionne une importante réduction des coûts, puisqu'il n'est plus nécessaire de réaliser des capteurs de grande taille impliquant des coûts de matières élevés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)