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1. (WO2009108733) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ D'ÉLECTROLUMINESCENCE À INJECTION DE COURANT/EFFET TUNNEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/108733    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/035198
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 25.02.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.12.2009    
CIB :
H01L 27/15 (2006.01)
Déposants : LIGHTWAVE PHOTONICS, INC. [US/US]; 1106 Second Street, Suite 163 Encinitas, California 92024 (US) (Tous Sauf US).
JORGENSON, Robbie [US/US]; (US) (US Seulement).
KING, David [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JORGENSON, Robbie; (US).
KING, David; (US)
Mandataire : KING, David; 14565 Grand Avenue Burnsville, Minnesota 55306 (US)
Données relatives à la priorité :
61/066,960 25.02.2008 US
Titre (EN) CURRENT-INJECTING/TUNNELING LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ D'ÉLECTROLUMINESCENCE À INJECTION DE COURANT/EFFET TUNNEL
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus and method for making it. Some embodiments include a light-emitting device having a light-emitting active region; a tunneling-barrier (TB) structure facing adjacent the active region; a TB grown-epitaxial-metal-mirror (TB-GEMM) structure facing adjacent the TB structure, wherein the TB-GEMM structure includes at least one metal is substantially lattice matched to the active region; and a conductivity-type III-nitride crystal structure adjacent facing the active region opposite the TB structure. In some embodiments, the active region includes an MQW structure. In some embodiments, the TB-GEMM includes an alloy composition such that metal current injectors have a Fermi energy potential substantially equal to the sub-band minimum energy potential of the MQW. Some embodiments further include a second mirror (optionally a GEMM) to form an optical cavity between the second mirror and the TB-GEMM structure. In some embodiments, at least one of the GEMM is deposited on, and lattice matched to, a substrate.
(FR)L'invention porte sur un appareil et sur un procédé de fabrication de l'appareil. Dans certains modes de réalisation, l'invention se rapporte à un dispositif électroluminescent possédant une région active électroluminescente; une structure de barrière tunnel (TB) située face et adjacente à la région active; une structure de miroir métallique à croissance épitaxiale TB (TB-GEMM) située face et adjacente à la structure TB, ladite structure TB-GEMM comprenant au moins un métal dont le réseau est sensiblement accordé à celui de la région active; et une stucture de cristal de nitrure III à type de conductivité située face et adjacente à la région active opposée à la structure TB. Dans certains modes de réalisation, la région active comprend une structure MQW. Dans certains modes de réalisation, la structure TB-GEMM comprend une composition d'alliage telle que les injecteurs de courant métalliques possèdent un potentiel d'énergie de Fermi sensiblement égal au potentiel d'énergie minimal de sous-bande de la structure MQW. Certains modes de réalisation comprennent en outre un second miroir (facultativement, un GEMM), de manière qu'une cavité optique est formée entre le second miroir et la structure TB-GEMM. Dans certains modes de réalisation, l'un des GEMM au moins est déposé sur un substrat et son réseau est accordé à celui du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)